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ZHU HAI TONG CHUANG XING ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD 珠海同创兴电子科技有限公司 文件编号：TCX-WI-KL001 DES作业规范 版本:F 页码：第1页共5页 生效日期：2016年11月20日 审批 ’ 审批 ’ 批准?? H期: 文件修订履历 版本 修订内容 制/修订日期 制/修订人 A 新修订 B 完善操作 2016.11.15 ZHU HAI TONG CHUANG XING ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD 珠海同创兴电子科技有限公司 文件编号：TSJCD-WI PD0401 DES作业规范 版 本：F 页 码：第2页共5页 生效日期：2016年11月20日 目的 规范DES流程相关参数、操作及保养维护等作业要求，保证产品品质 适用范围 适用于我司DES流程相关操作、点检监督与维护人员。 流程图/工段说明 流程图:  ZHU HAI TONG CHUANG XING ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD 珠海同创兴电子科技有限公司 文件编号：TSJCD-WI PD0401 DES作业规范 版 本：F 页 码：第3页共5页 生效日期：2016年11月20 口 该流程各工段说明： 显影：通过化学反应除去板件上没有被曝光的干膜，露出待蚀刻的铜面。 蚀刻：通过化学反应除去板件上无干膜覆盖位置的铜，形成所需线路图形。 脱膜：通过退膜药水彻底除去板件上覆盖的所有干膜。 职责 生产部：负责执行设备相关生产操作和维护保养。 工艺部：负责规范参数与操作，持续优化并协助监督。 品质部：负责点检相关参数并监督稽核生产操作与维护保养情况。 维修部：负责维修设备异常和协助保养，并定期检查设备相关性能。 定义 于显影段去除板件上未被曝光的干膜，露出待蚀刻的铜面，然后经蚀刻段消除露出的铜、 形成所需的线路，最后通过退膜段将板件上被曝光干膜去除。 内容 6.1 参数控制 控制项目 控制要求 分析/点检频率 显影 Na2C0、（碳酸钠） 1.0±0.2% 1次/班 显影缸及添加缸温度 30±2C 1次/班 敁影压力 1. 0-1. 5kg/cm2 1次/班 PH值 10-12 1次/班 S影速度 25/30 2. 8-3. 5m/min 1次/班 40/50 2. 0~3. Om/min 1次/班 以上，按显影点40%-60%调整控制 1次/班 孔点干膜 2. 0-3. Om/min 1次/班 溢流水洗流量 200L/H 1次/班 溢流水洗上/下压力 1. 0-1. 5 kg/cm2 1次/班 蚀刻 HC1 （盐酸） 1-3N 1次/班 Cu27二价铜离子） 120-170g/L 1次/班 SG （比重） 1.32±0. 02 1次/班 温度 50±2°C 1次/班 蚀刻压力 上 1. 0-2. Okg/cm2 1次/班 下 1. 0-2. Okg/cm3 1次/班  ZHU HAI TONG CHUANG XING ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD 珠海同创兴电子科技有限公司 文件编号：TSJCD-WI-PD0401 DES作业规范 版 本：F 页 码：第4页共5页 生效日期：2016年11月20日 蚀刻速度 12-16um 3.0±0.5m/min 1次/班 17-23um 2.3±0.3m/min 1次/班 24-30um 1.7±0.3m/min 1次/班 31 Mm 1.1±0.4m/min 1次/班 溢流水洗流量 200L/H 1次/班 溢流水洗上/下压力 1.0-1.5kg/cm2 1次/班 脱膜 NaOH（氢氧化钠） 2%-4% 1次/班 脱膜缸及添加缸温度 50±5°C 1次/班 脱膜压力 0.8-1.5kg/cm 1次/班 脱膜速度 25/30 2.5±0.5m/min 1次/班 40/50 1.5±0.5 m/min 湿膜板 1-2m/mjn 溢流水洗流量 200L/H 1次/班 溢流水洗上/下压力 1.0-1.5kg/cm 1次/班 酸洗 H2SO4 （硫酸） 4%-6% 1次/班 酸洗压力 1.0-1.5kg/cm2 1次/班 溢流水洗流量 200L/H 1次/班 溢流水洗上/下压力 1.0-1.5kg/cm2 1次/班 烘干 温度 90±5°C 1次/班 6.2 6.2.1 6.2.1.1 6.2.1.2 6.2.1.3 注：①蚀刻喷压下喷压力都一致，压力大小根据上下蚀铜萤由丁.艺部设定，员丁.不许私调整。现场点检确保下喷压 力在管控范围rt设定一致：②蚀刻上喷压力在管控范围内设定不一致，各喷管对应的压力由蚀铜贵及蚀刻均匀性决 定并由工艺部设定，员工不许私ft调整。现场点检确保上喷