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MOSFET参数理解及测试项目方法  MOSFET产品部 MOSFET简要介绍 MOSFET （Metal – Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor)--- 金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 MOSFET根据导电沟道形成机理可分为： 1、增强型 2、耗尽型 MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为： 1、PMOS 2、NMOS MOSFET简要介绍 MOS管结构及符号图 (a) 内部结构断面示意图 (b) N沟道符号，P沟道符号 G： 栅极 D： 漏极 S： 源极 MOSFET 参数理解及测试方法 MOSFET参数很多，一般 Datasheet 包含以下参数： 极限参数： VDS：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。 VGS：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。 ID： 额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最 大电流。场效应管的工作电流不应超过ID 。特定温度下，此电流的大小由RDS（ON）和封装形式决定，其计算公式如下： TJmax ： MOS 最大结点工作温度150℃ RθJC ： 封装热阻（节点-外壳） TC： Case 表面温度为25℃ 极限参数 IDM ： 最大脉冲漏源电流。我们通常取IDM=4×ID PD ： 最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。 Tjmax：MOS 最大结点工作温度150℃ RθJC：封装热阻 TC： Case 表面温度为25℃ Tj ： 最大工作结温。通常为 150 ℃ TSTG ：存储温度范围。通常为-55℃～150℃ 静态参数 1. V(BR)DSS ：漏源（D-S）击穿电压，它具有正温度特性。 Test Condition： VGS=0，ID=250uA 静态参数 2. IDSS 漏-源（D-S）漏电流。 一般在微安级 Test Condition： VGS=0，VDS =Rated VDS 3. IGSS 栅源驱动电流或反向电流。 一般在纳安级 Test Condition： VDS=0，VGS =Rated VGS 静态参数 4. VGS(th) ：开启电压（阀值电压），它具有负温度特性。 Test Condition： VGS =VDS ，ID=250uA 静态参数 5. RDS(ON) ：在特定的 VGS （一般为 2.5V or 4.5V or 10V ）及漏极电流(我们一般取1/2Rated ID)的条件下， MOSFET 导通时漏源间的阻抗，具有正温度特性。 雪崩特性参数 功率MOSFET在电感型负载回路中，MOSFET由开启状态到瞬间关断时，漏源之间的反偏体二极管用于释放电感负载中储存能量的同时，也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响。 EAS：单脉冲雪崩能量 IAS： 电感峰值电流 IAR： 单脉冲雪崩电流 雪崩特性参数 雪崩特性波形图（一）