基于线性放电TOT技术的的低噪声前端读出ASIC设计-IndicoIHEP
基于线性放电基于线性放电TOTTOT技术的的低噪技术的的低噪
声前端读出声前端读出ASICASIC设计设计
李怀申李怀申 王娜王娜 李绍富李绍富 刘刚刘刚 江晓山江晓山
0808- 1515
主要内容主要内容
芯片简介
设计背景及应用设计背景及应用
电子学系统读出方案
芯片电路结构
仿真结果及性能指标仿真结果及性能指标
测试结果
芯片测试结果 lihs@ihep.ac.cn 2
设计背景及应用设计背景及应用
MPGDMPGD ((MicroMEGASMicroMEGAS、、GEMGEM探探
测器计数率、位置分辨率要求高
二维读出,空间限制
多多通道读出通道读出
同时需要一定的能量信息、时间信
息
需要集成度高的低噪声前端读出
ASIC芯片
典型的探测器参数典型的探测器参数
探测器电容 ~40pF
探测器电荷 300fC
读出条电荷 5-120fC
噪声 2000e-
通道 多通道读出 lihs@ihep.ac.cn 3
电子学系统读出方案电子学系统读出方案
实现时间和电荷信息的同时测量
TOTTOT ((TiTime over ThThreshholdld))方法方法 :
测量输出脉冲的时间,换算得到入射粒子的电荷量(能量)
功能模块功能模块 ::
低噪声电荷灵敏前放、线性放电级,甄别器,输出驱动,TDC
探测方法探测方法 ::
脉冲的前沿代表了信号的到达时刻,脉冲的宽度代表了电荷量
lihs@ihep.ac.cn 4
芯片电路结构芯片电路结构
BandgapBandgap, biasbias, controlcontrol logiclogic, calibratioincalibratioin
低噪声电荷前放 电流放大器 线性放电 甄别器 lihs@ihep.ac.cn
5
芯片设计芯片设计电荷前放电荷前放
输入级输入级 :电荷灵敏前放电
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