SOI及制备工艺.pptVIP

概述 SIMOX BESOI Smart-cut Simbond 概述 SOI (Silicon On Insulator),又称绝缘层上硅。一种新型结构的硅材料，通 过在体硅中加入一层绝缘层，而具有一些特殊的性质。被称为有望替代 体硅成为新一代的集成电路衬底材料。 概述 典型1mm CMOS工艺条件下体硅和SOI器件的寄生电容(pF/mm2) 概述 SIMOX 2.1 SIMOX工艺流程： SIMOX ( Separate by IMplant Oxygen ),又称注氧隔离技术。此方法有两个关键步骤：离子注 入和退火。在注入过程中，氧离子被注入圆片里，与硅发生反应形成二氧化硅沉淀物。然 而注入对圆片造成相当大的损坏，而二氧化硅沉淀物的均匀性也不好。随后进行的高温 退火能帮助修复圆片损坏层并使二氧化硅沉淀物的均匀性保持一致。这时圆片的质量得以 恢复而二氧化硅沉淀物所形成的埋层具有良好的绝缘性。 SIMOX 2. 过程参数影响 注入剂量：控制埋氧层的厚度，提高注入剂量，埋氧层增加同时顶硅层厚度减小。 注入能量：控制离子注入的射程，从而影响顶层硅厚度。另外研究表明，注入能量越 高注入粒子 分散程度越大，形成连续埋氧层所需剂量也越高。 退火温度：高温退火消除注入缺陷，消融顶层硅中氧沉淀，促使埋层形成。 退火气氛：惰性气氛通常加入少量氧，增加氧分压防止由于形成SiO而导致的表面缺失。 硅片温度：影响注入过程缺陷形成，低温容易导致顶层硅的非晶化。 BESOI 3.1 BESOI（Bonding and Etch back SOI）键合和背面腐蚀工艺流程： 键合技术指将两个平整表面的硅片相互靠近，硅片间的范德瓦尔斯力使两个硅片紧密的结合在一起。键合技术形成的SOI材料的顶层硅膜来自于衬底硅膜，未经过SIMOX技术中的高温氧离子注入，所以顶层硅膜中的缺陷较少，其器件性能可以达到体硅器件的水平。 BESOI过程分三步来完成。第一步是在室温的环境下使一热氧化圆 片在另一硅片上键合；第二步是经过退火增强两个圆片的键合力度；第三步通过研磨、抛光及腐蚀来消薄其中一个圆片到所要求的厚度。 BESOI 3.2 腐蚀减薄工艺 通常采用两种基本的减薄技术：粗磨后化学机械抛光后粗磨后背面选择腐蚀 研磨+抛光：粗磨迅速减薄硅片，化学机械抛光进一步精确减薄硅层。由于缺乏有效的腐蚀终止控制技术只能获得相当厚的顶部硅膜 背面选择腐蚀技术：预粗磨之后采用有腐蚀终点指示的化学腐蚀方法，腐蚀终止是采用在上层硅片下表面建立杂质浓度梯度实现的。如采用重掺衬底P+，在其上生长轻掺的N－或P－外延层（工艺完成后作为顶层单晶硅薄膜），首先粗磨重掺杂区，然后化学腐蚀得到顶层硅膜，腐蚀剂选用具有较强选择比腐蚀性的试剂。 对顶层膜及其厚度均匀性难以精确控制，适用于制造厚膜SOI材料。 Smart-cut 4.1 Smart-cut工艺流程： 结合了离子注入和键合的双重优势。 第一步是在室温的环境下使一圆片热氧化,并注入一定剂量H+。第二步常温下与另一非氧化 圆片键合；第三步低温退火使注入氢离子形成气泡令硅片剥离，后高温退火增强两圆片 的键合力度；第四步硅片表面平坦化。 Smart-cut 4.2 Smart-cut技术优点 H+注入剂量为1016cm-2，比SIMOX低两个数量级，可采用普通的离子注入机完成。 埋氧层由热氧化形成，具有良好的Si/SiO2界面，同时氧化层质量较高。 剥离后的硅片可以继续作为键合衬底大大降低成本。 Simbond 5. SIMBOND工艺： 国内的SOI产业发展缓慢，目前上海新傲科技股份有限公司率先实现国内SOI的产业化。陈猛等人结合了离子注入和键合技术提出了注氧键合技术，形成具有自主知识产权的Simbond技术。14年，新傲与法国SOITEC 签订了中国地区200mm SOI晶圆独家代理协议。 * SOI及其制备技术 SOI 绝 缘 层（埋氧层） 顶硅层 衬底 （a）典型 SOI CMOS横截面示意图 （b）SOI CMOS TEM (Transmission electron microscope)侧面图 SOI的技术特点： 速度高----全耗尽SOI器件具有迁移率高、跨导大、寄生电容小等优点使SOI CMOS 具有极高的速度特性。 功耗低----全耗尽SOI器件具有陡直的亚阈值斜率，漏电流小，静态功耗小；结电容与连线电容均很小，动态功耗小。 集成密度高----SOI采用介质隔离，不需要制备体硅CMOS电路的阱等复杂隔离工艺，器件最小间隔仅取决于光刻和刻蚀技术的限制。 完