GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟.PDFVIP

第 卷第 期 年 月 40 5 红外与激光工程 2011 5 Vol.40 No.5 Infrared and Laser Engineering May 2011 GaAs 可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟 李德春，赵圣之，唐文婧，李桂秋，杨克建 ( 山东大学 信息科学与工程学院，山东 济南 250100) 摘 要： 可饱和吸收体中的深能级缺陷（ 缺陷）对其被动调 性能有着重要的影响， 因此有 GaAs EL2 Q