集成电路制造工之光刻与刻蚀工艺.pptVIP

在使用CF4对硅和SiO2进行等离子刻蚀时，氟与SiO2反应的同时，还与CFx原子团(x≤3)结合而消耗掉，造成氟原子的稳态浓度比较低，刻蚀速率较慢。 如果加入适量的氧气，氧气也同样被电离，氧可与CFx原子团反应，造成CFx原子团耗尽，减少了氟原子的消耗，使F/C原子比增加，加快SiO2刻蚀速度。 在氧组分达到临界值之后，继续增加氧的组分，由于氟原子浓度被氧冲淡，刻蚀速度下降。 刻蚀硅时，临界氧组分只有12%，氧组分继续增加，刻蚀速率下降比SiO2更快。这是由于氧原子倾向于吸附在Si的表面上，阻挡了氟原子加入反应。随着更多氧的吸附，对Si的刻蚀影响加剧。 加入适量的氧气 在CF4等离子体中加入氢气，随氢组分增加： 加入适量的氢气 SiO2的刻蚀速度缓慢减小，持续到氢的组分达到40%； Si的刻蚀速度迅速减小，当氢的组分大于40%时，对Si的刻蚀停止。 在CF4等离子体中加入适量的氢气，可以增强SiO2/Si刻蚀的选择性。 如果F/C比较高(添加氧气)，其影响倾向于加快刻蚀。 如果F/C比较低(添加氢气)，刻蚀过程倾向于形成高分子聚合物薄膜。 在CF4等离子体中添加气体成份，影响等离子体内F/C原子比。 目前集成电路的干法刻蚀工艺中，通常CHF3等离子体进行SiO2的刻蚀，加入少量氧来提高刻蚀速度。 8.12.3、Si3N4的干法