模拟研究p型aGSi∶H对HIT太阳电池性能的影响.PDF

第 卷第 期 光 学 技 术 ４４ ４ Vol．４４No．４ 年 月　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　 ２０１８ ７ OPTICALTECHNIQUE Jul ２０１８ y 文章编号: ( ) 　　 １００２Ｇ１５８２２０１８０４Ｇ０４９５Ｇ０５ 模拟研究 型 对 太阳电池性能的影响∗ p aＧSi∶H HIT , , , , , 张喜生 晏春愉 李霖峰 吴体辉 郭俊华 姚陈忠 ( , ) 运城学院 物理与电子工程系 山西 运城 ０４４０００ : , , 摘 要 使用 软件模拟研究 太阳电池能带结构 讨论了发射区 型反转层的形成及影响因素 　 AFORSＧHET HIT p . : , , ; 及其对电池性能的影响 结果表明 在 型单晶硅内 与 型非晶硅异质结界面处 形成 型反转层 的掺杂浓度 n p p pSi∶H Ｇ , . , , 可调节费米能级位置 进而影响反转层的形成 HIT电池类似于 n同质结电池 型反转层作为太阳电池发射层 对 pＧ p 太阳电池的性能起决定性作用. : ; ; ; ; 关 键 词 AFORSＧHET 模拟 HIT 氢化非晶硅 反转 中图分类号:０４８４．４　　　文献标识码:A SimulationStud ofInfluencesofＧt eaＧSi∶H y pyp onthe erformanceofHITSolarCells p , , , , , ZHANGXishen YANChunu LILinfen WUTihuiGUOJunhua YAOChenzhon g y g g ( , , , , ) DeartmentofPhsicsandElectronicEnineer