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湘潭大学毕业论文
题 目：掺镧的钛酸锶薄膜的阻变性能研究
学 院： 材料与光电物理学院
专 业： 微 电 子 学
学 号：
姓 名：
指导教师： 教授
完成日期： 2011年5月20日
湘 潭 大 学
毕业论文（设计）任务书
论文(设计)题目： 掺镧的钛酸锶薄膜的阻变性能研究
学号： 2007700410 姓名： 专业： 微电子学
指导教师： 教 授 系主任： 教 授
一、主要内容及基本要求
1、了解存储器的概论；
2、了解阻变存储器的作用机理及其器件结构；
3、掌握溶胶-凝胶法制备薄膜的基本原理和制备过程；
4、对制得的La:STO铁电薄膜进行阻变性能测试。
基本要求：
1、了解阻变存储器的作用机理及其集成技术；
2、掌握溶胶-凝胶法制备薄膜的基本原理和方法；
3、掌握La:STO铁电薄膜进行阻变性能测试的方法；
4、能根据实验结果，总结出钛酸锶材料在阻变存储器中的应用。
二、重点研究的问题
1、阻变存储器的作用机理；
2、溶胶-凝胶法制备La:STO铁电薄膜；
3、La:STO薄膜的阻变性能测试。
三、进度安排
序号
各阶段完成的内容
完成时间
1
搜集资料
1月20日~3月5日
2
钻研资料并制定实验计划
3月6 日~4月5日
3
做实验并整理实验数据
4月6日~5月6日
4
撰写论文
5月7日~5月17日
5
修改论文并制作ppt
5月18日~5月29日
6
答辩
5月29日
四、应收集的资料及主要参考文献
[1] S. Kim, H. Moon, D. Gupta, S. Yoo and Y. K. Choi. Resistive switching characteristics of sol-gel zinc
oxide films for flexible memory applications [J]. IEEE Electron Device Lett., 2009, 56(4): 696-699.
[2] 左青云, 刘明, 龙世兵等, 阻变存储器及其集成技术研究进展 [J]. 微电子学, 2009, 39(4):546.
[3] D. S. Shang, J. R. Sun, L. Shi and B. G. Shen. Photoresponse of the Schottky junction Au/SrTiO3:Nb
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