磁控溅射法制备几种金属、金属氧化物薄膜-凝聚态物理专业论文.docx

中文摘要 中文摘要 金属与金属氧化物在气敏、光催化与太阳能电池等方面有着极为重要的应用，通过 磁控溅射法制备的金属氧化物薄膜，具有纯度高、致密性好、可控性强、与基底附着性 好等优点，因此磁控溅射技术被广泛应用于工业化生产制备大面积、高质量的薄膜。我 们通过磁控溅射法制备了氧化铜纳米线阵列薄膜，并研究了其气敏性质；除此之外，我 们还通过磁控溅射法制备了 TiO2/WO3 复合薄膜，研究了两者之间的电荷传输性质：基 于磁控溅射法，我们主要开展了以下三个方面的工作： (1)采用磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃（FTO）衬底上溅射金属铜薄膜，所制 备的 Cu 薄膜通过在管式炉中退火氧化生长，可得到 CuO 纳米线阵列薄膜。用 X 射线衍 射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对其形 貌和结构进行了表征，并研究了这种通过磁控溅射法得到的 CuO 纳米线阵列薄膜对 CO 和 H2S 的气敏性质，研究结果表明：CuO 纳米线阵列薄膜在 250℃时对 CO 气体具有最 强的气敏响应，并且当 CO 浓度增大时其气敏响应明显增强；而对于 H2S 气体，在常温 下 CuO 纳米线阵列薄膜能够对低浓度的 H2S 气体响应，说明这种 CuO 纳米线阵列薄膜 可以在常温、低浓度下探测 H2S 气体；与 CO 气体不同的是：当测试温度升高时，其电 阻值在 H2S 气体氛围中迅速减小，我们对这种异常的电阻变化现象进行了解释。 (2)采用双极脉冲磁控溅射法制备了 TiO2、WO3 与 TiO2/WO3 复合薄膜，我们采用瞬 态光电压谱技术研究了三种薄膜在光照下光生电荷的动态传输特性，对于 TiO2/WO3 异 质结薄膜，其瞬态光电压信号与 TiO2、WO3 的信号相反，其瞬态光电压值几乎为 TiO2、 WO3 的 3 倍。这些现象说明 TiO2 与 WO3 之间形成的界面对光生电荷的分离起着重要的 作用。我们对 TiO2 与 WO3 界面间的电荷传输与分离过程作了详细的讨论和解释。 (3)利用磁控溅射法在硅基底上制备超薄金属铜薄膜，通过严格控制沉积时间从而实 现控制膜厚的目的，探索磁控溅射法制备金属超薄膜的工艺和条件。研究结果表明：对 于铜薄膜，溅射 10 秒未形成完整的薄膜，30 秒后可形成致密、完整的薄膜；并且随着 溅射电压的增大，粒径增大；同时我们也对电流、气压及靶基距对薄膜的影响作了分析； 通过对这些金属超薄膜进行后期热氧化处理可以制备出金属铜与金属锌的氧化物薄膜。 关键词： 磁控溅射，气敏性质，光电性质 I Abstract Abstract Metal and metal oxide have important applications in gas-sensing, photocatalyst and photovoltaics, etc. The metal oxide film prepared by magnetron sputtering technique possesses good qualities, such as high purity, good compactness, controllability and excellent adhesion. Therefore magnetron sputtering technique is widely used to prepare large area and high quality films in industrial production. In our work, CuO nanowires (NWs) array films were synthesized by magnetron sputtering. Their gas-sensing properties were also investigated. Except this, WO3/ TiO2 nanocomposite films were synthesized by magnetron sputtering and their dynamic charge transport properties were investigated by the transient photovoltage technique. The paper mainly includes three parts such as follows: （1）The metal copper films were deposited by magnetron sputtering on fluorine-doped tin oxide ( FTO ) coated glass. The