用分数维近似方法-研究量子阱线中激子、杂质的结合能.pdfVIP

分数维近似方法量丁阱线中檄于的结合能 率红 第一章 绪论 随着微加工技术如分子束外延技术的成熟与发展，半导体量子 阱和量子阱线以及量子点结构引起人们广泛的研究。在光跃迁过程 中，被激发到导带中的电子和价带中的空穴由于库仑相互作用，将 形成一个束缚态，称为激子。激子通常可分为Wannicr激子和Frenkel 激子。前者电子和空穴分布在较大的空间范围内，库仑束缚较弱， 电子“感受”到的是平均晶格势与空穴的库仑静电势，这种激子主 要是在半导体中：后者电子与空穴束缚在体元胞范围内，库仑作用 较强，这种激子主要是在绝缘体中。在低维结构中如量子阱线、量 子点中，由于电子和空穴的波函数受到较大的约束，使激子的结合 能及光跃迁强度大大加强，几乎在室温下就可对其光学性质进行观 测。低维结构中激子结合能的研究对研究半导体器件的光学性质有 着重要的意义。 有关激子结合能的计算理论上多采用变分法m】114】I”]12“，这些计 算要费用大量机时，并且结果的准确性与波函数的选择有很大关 系。究其原因：大部分选用了三维模型，即用均匀坐标来研究不均 匀的系统，相应地要选用不均匀、不对称的哈密顿量，这样的模型 并不与真实的问题相