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- 约 85页
- 2018-11-28 发布于上海
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超细钨丝电沉积铝镁合金工艺及性能研究-材料工程专业论文
独创性声明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。
作者签名: 日期: 年 月 日
论文使用授权
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(保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 作者签名: 导师签名:
日期: 年 月 日
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摘 要
摘 要
Al-Mg 合金具有密度轻,单位体积的热含量高,比强度和比刚度高,耐腐蚀 性强等优点,是一种优良的轻质金属材料。在高能物理研究领域中,Al-Mg 合金 占有重要地位。Z 箍缩(Z-pinch)驱动的激光惯性约束聚变(ICF)中,常用的丝阵负载 为直径在 10μm 以下的超细 W 丝阵列,能够获得很高的 X 射线发射功率与产额, 但要满足 Z-pinch 驱动的 ICF 的要求,X 射线的发射功率和产额仍需要大幅度地提 高。在超细 W 丝表面覆盖一层 Al-Mg 合金薄膜,用以获得更为理想的 X 射线收益。
本文选择低温无机熔盐 AlCl3-NaCl-KCl-MgCl2 体系,首先在铜基底上进行 Al-Mg 合金薄膜电沉积制备工艺的初步研究,然后在钨基底和超细钨丝表面进行 Al-Mg 合金薄膜的制备,并探索氯化胆碱-尿素离子液体体系中 Al-Mg 合金制备的 可行性。
通过研究沉积电压、沉积时间、沉积温度以及电解质浓度对 Al-Mg 合金形貌 和 Mg 含量的影响,确定了在铜基底上电沉积 Al-Mg 合金的较为适宜的工艺条件:
熔盐体系组成为质量比 AlCl3:NaCl:KCl=78:11:11,MgCl2 的质量分数 2.5~4%,电 压 1.22~1.35V,电沉积温度 200~220℃,电沉积时间 20~45min,获得的 Al-Mg 合 金镀层中 Mg 含量最高可达 9.55At%。
钨基底上进行 Al-Mg 合金电沉积,低 Mg 含量时,合金组成为固溶体(α 相), 随着 Mg 含量的增加,非晶态的 α 相逐渐增多,Al-Mg 合金的耐腐蚀性逐渐增强; 当合金中 Mg 的含量超过一定范围后,Al-Mg 合金中会有晶态的金属间化合物
Mg2Al3(β 相)的析出,弥散分布在 α 相中,随着合金中 Mg 含量不断提高,β 相越 来越多,使得合金的耐腐蚀性降低。
在 1.22~1.3V 范围内,Al-Mg 合金中 Mg 含量随着沉积电压的增加而增加,α
相逐渐增多,镀层表面颗粒不断细化,当电压为 1.3V 时,Al-Mg 合金中 Mg 的含 量最高,达到了 12.93At%;超过 1.3V 后,Mg 含量开始下降,颗粒变大,且部分 聚集成簇状。沉积层厚度随着沉积电压的增加而增加。随着 MgCl2 的在熔盐中质 量分数的增加,Al-Mg 合金中 Mg 含量逐渐增加,β 相越来越多,弥散分布 α 相中, 当 MgCl2 质量分数为 4%时,镀层中 Mg 含量最高,达到 16.12At%。
超细钨丝表面 Al-Mg 合金的电沉积的最佳工艺条件是沉积温度为 220℃,沉 积电压为 1.3V,沉积时间 30min,MgCl2 的质量分数为 3.5~4%,可以获得致密均
匀的 Al-Mg 合金镀层,镀层中 Mg 的含量最高可达 14.98At%。
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摘 要
电化学研究表明,低温无机熔盐 AlCl3-NaCl-KCl-MgCl2 体系中,Al-Mg 合金
在钨电极上的沉积存在一定的不可逆性,成核机理与 Al 在无机熔盐中的机理类似。 ChCl-urea-AlCl3-MgCl2 离子液体体系中 Al-Mg 合金的共沉积电位在-1.0V 附
近,80℃下,-1.1V 进行恒电位电沉积 60min 后,铜电极上可以获得原子比率接近
4:1 的 Al-Mg 合金,但镀层极薄,电流效率较低,Al-Mg 合金在铜电极上的沉积 可逆性较差。
关键词:超细钨丝,无机熔盐,离子液体,Al-Mg 合金,电沉积
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ABSTRACT
ABSTRACT
Al-Mg alloys are an excellent lightweight metallic material due to their attractive properties, such as l
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