第23章固体的量子理论补充.docVIP

第二十三章固体的量了理论 一、选择题 1、 (难度1)与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是 导带也是空带. 满带与导带重合. 满带屮总足奋空穴，导带屮总足有电子. 禁带宽度较窄. [D ] 2、 (难度1)卜*述说法中，正确的是 木征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n型或p型)只 冇一种载流了?(电了或空穴)参予导电，所以木征半导体导电怦能比杂质半导体好. n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导 体是正离子导电. n型半导体小杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级屮多余 的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能. p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动. [C ] 3、 (难度I)如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂，(2)硅用铝(三价元素)掺杂，则分别获得的半导 体属于K述类型： (A) (1), (2)均为n型半导体. (B) (1)为n型半导体，(2)为p型半导体. (C) (1)为p型半导体，(2)为n型半导体. ⑼ (1), (2)均为p型半导体. [B : 4、 (难度1) p型半导体屮杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构屮;、V处 于 满带中. (B)导带中. (C)禁带中，但接近满带顶.(D)禁带中，但接近导带底. [C ] 5、 (难度1) n型半导体屮杂质原了?所形成的局部能级(也称施主能级)，在能带结构屮俺 处于 (A)满带中. (B)导带中. (C)禁带中，但接近满带顶. (D)禁带中，供接近导带底.[D ] 6、 (难度1)激发本征半导体中传导电子的儿种方法有(1)热激发，(2)光激发，(3)用三价元 素掺杂，(4)用五价元素掺杂.对于纯铬和纯硅这类木征半导体，在上述方法中能激发芄传 异电子的只有 (A)⑴和⑵. (B)⑶和⑷. (C) (1)(2)利 1(3). (D) (1)(2)和(4). [ D ] 7、(难度1)附图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度r=o K吋的能带结构图.其屮属 于绝缘体的能带结构是 (A) (1). (B) (2). (D) (3).[A ]导带(空带)导带(空带)禁带禁带禁带⑴(2)禁带 (D) (3). [A ] 导带(空带) 导带(空带)禁带 禁带 禁带 ⑴ (2) 禁带 (C) (1), (3). (4). 8、(难度1)硫化铺(CdS)晶体的禁带宽度为2.42 eV,要使这种晶体产生木征光电导，入射 到晶体上的光的波长不能人于 (A) 650 nm. (1 nm = 10~9 m) (B) 628 nm. (C) 550 nm. (D) 514 nm. [ D ] (普朗克常量 A =6.63 X1034 J ? s,基本电荷 e = 1.60 X 10 19 C) 9、(难度1)与半导体相比较，绝缘体能带结构的特点是 导带也足空带? 满带与导带重合. 满带中总是有空穴，导带中总是有电了. 禁带宽度较宽. [D ] 10、(难度1)附图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度r=0K时的能带结构图.K?中属 于半导体的能带结构是 (A) (1). (B) (2). (C) (1),⑶. (D) (3). (4). 导带(空带)导带A (未满)禁带导带(空带)禁带(2)空带导带(未满)禁带(4) 导带(空带) 导带A (未满) 禁带 导带(空带)禁带 (2) 空带 导带(未满) 禁带 (4) 11、(难度1)附图足导体、半导体、绝缘体在热力学温度T=0 K吋的能带结构图.其屮属 于导体的能带结构是 (A) (1). (B) (2). (C) (3). (D) (4). 导带（空带）导带1（未满）空带4导带（空带）导带（未满〉 导带（空带） 导带1（未满） 空带 4 导带（空带） 导带（未满〉 禁带 禁带 禁带 (1) (2) (3) (4) 二、填空题 I、（难度1）如图是 型半导体的能带结构图。 A 施主能级 答案：n 3、 （难度1）纯浄锗吸收辐射的最人波长为2 = 1.9 |im,锗的禁带宽度为 eV。 答案：0.65 4、 （难度1）若在四价元素半异体中掺入五价元素原子，则可构成 型半异体。 答案：n 5、 （难度1）若在四价元素半导体屮掺入三价元素原子，则可构成 型半导体。 答案：p 6、 （难度1）若在叫价元素半导体中掺入五价元素原子，则参与导电的多数载流子是 答案：电子 7、 （难度1）若在四价元素半导体中掺入三价元素原子，则参与导电的多数载流子足 答案：空穴 8、（难度2）太阳能电池屮，本征半导体锗的禁带宽度足0.67 eV,它能吸收的辐射的最人 波长是 X103nm。（普朗克常量 Zz =6.63X 10 34 J. s，