阴极电沉积法制备高氮含量氮化碳薄膜-应用化学.PDF

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2019-01-19 发布于天津
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阴极电沉积法制备高氮含量氮化碳薄膜-应用化学

21 1 Vol.21 No.1 2004 1 　　　CHIN ESE J OU RNA L O F APP LI ED CHEM IST RY 　　　 Jan.2004 a, b a ＊ a a a 李　超　曹传宝　朱鹤孙　吕　强　黄福林 a b (　 10008 1;　) 　　, (I TO ), CN 。XPS , N/C 1.22 (C N ), x 3 4 C—N 、C N 。F T IR X PS 。 , 1 098 1 950 cm -1 2 , C—N, C N 。 50 ℃、 1 250 V 11.31 GPa, 86 GPa。, CN x 。　, , , :O646;O4 84 　　　　　:A 　　　　　:1000-0518 (2004)01-00 36-05 [1, 2] , , [3, 4] 。, 。 [5 ～7] 1999 , , 。, 。, [8] 。 (C N H ) 8%CN ; 2 4 4 x [9] (C N H )35%CN 。 2 4 4 x (IT O ), , , CN x , , , CN x 。 1　 1.1　 X SA M 800 (K ROTOS Co ., England), X AlKα(hν=1 486.6 eV ), 12 kV ×10 mA, 、, 5 mm , 1.3×10 -6 P a, C 1s (BE=2 84.6 eV );Micole -I R750 ( ), 400 ～ 4 000 cm -1;M icole Raman 950 (), N d:YV O , 4 1 064 nm;CSEM Co .Sw iss ;Surfcom 480A (), 10 cm 1 nm 。、。 1.2　CN x [5] 。, 。 , 180Ψ/ ◆。 200 nm (ITO ), 20 m m×20 mm×1 mm 。、, 。I TO 2003-03-12 , 2003-07-14 (20 17 1007)18) :, , 1963 , , ;E-mail:cbcao @bi .edu.cn;: 　 1 : 37 7 mm 。, 0 ～4 000 V 。4 h , 300 ～500 nm 。。 1.3　XPS、F