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非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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非故意掺杂!# 薄膜方块电阻
与载气中 比例关系研究!
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席光义 郝智彪 汪 莱 李洪涛 江 洋 赵 维 任 凡 韩彦军 孙长征 罗 毅
（清华大学电子工程系清华大学信息科学与技术国家实验室 集成光电子学国家重点实验室，北京 ）
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（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂 薄膜的方块电阻与高温 体材料生长时载气中 比例
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的关系 研究发现，随着载气中 比例的增加， 薄膜方块电阻急剧增加 当载气中 比例为 时， 薄膜
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方块电阻达 % ，且 表面平整，均方根粗糙度为 二次离子质谱分析发现，载气中 比例不
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同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别 随着载气中 比例的增加， 材料中螺型位错相关缺陷密度无明显变
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化，而刃型位错相关缺陷密度明显增加, 结果表明，刃型位错的受主补偿作用是导致)*+ 薄膜方块电阻变化的主要
原因,
关键词：半绝缘)*+ 薄膜，载气，金属有机气相外延，位错
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