复合介质层微放电器的制备和性能.研究.pdf

摘要 摘要 为了实现亚微米精度的无掩膜刻蚀加工，我们提出了一种基于并行探针驱动 的扫描等离子体加工方法。将微放电器与PzT悬臂梁相结合，通过微放电器放 电产生等离子体，通过纳米孔导出到样品表面实现刻蚀，通过PzT悬臂梁实现 自驱动自传感。其中微放电器的性能起着至关重要的作用，然而在前期的工作中 发现设计的单介质层微放电器抗击穿能力较差，寿命较短，无法满足应用需要， 因此本文对微放电器的结构做了有效地改进。 使用复合介质层微放电器代替原先的单介质层微放电器，采用无机介质材料 和有机介质材料相结合的方法增加器件在放电过程中的性能稳定性，弥补易击 穿、寿命短的不足。本文主要研究了复合介质层微放电器的结构优化、工艺制备 及性能测试，着重讨论了微放电器在cHF3气体环境下的放电性能，展示了其相 比于其他结构微放电器的优势。 在结构设计中，微放电器需要集成于悬臂梁中。由于薄膜在加工过程中不可 避免地产生内应力，导致在释放过程中悬臂梁产生一定挠度，阻碍等离子体的顺 利导出进而影响刻蚀系统性能。因此，本文首先研究了以加工工艺为基础的，由 残余内应力引起的悬臂梁挠度与多层薄膜结构参数以及材料属性之间的计算公 式。通过与ANSYS仿真结果的对比得出误差在士4％之内，说明所建模型具有很 好的实用性，可以为多层薄膜悬臂梁的挠度控制和结构优化提供理论依据。 为了实现结构改进的目的，在复合介质层微放电器的工艺制备过程中，本文 对介质材料的加工工艺参数进行了优化，以获得优异的介电性能。讨论了薄膜的 击穿强度和沉积速率与加工工艺参数之间的关系，通过实验结果的比较，获得了 优异介电性能的氧化硅和氮化硅薄膜加工的工艺参数。随后根据改进后的工艺流 程顺利制备出表面质量较好，无明显缺陷的复合介质层微放电器，为后续的性能 测试打下坚实的基础。 最后，本文对制作完成的复合介质层微放电器进行了性能测试，包括在CHF3 气体环境下的电学性能和光谱信息，分析了气体组成比例，气体压强以及外接电 阻等放电参数对微放电器放电性能的影响，得到了不同放电模态与放电参数之间 的对应关系。通过与其他结构微放电器的性能比较，证实复合介质层可以有效地 提高微放电器的抗击穿能力和使用寿命，为后续工作的开展和最终实现无掩膜扫 描刻蚀加工具有非常重要的意义。 关键词：复合介质层微放电器工艺制备性能研究 摘要 ————————————————————_—————_————————_———__————-_-———●_————●-————————————————————————一r II Abs妇ct ABSTRACT me memodsbasedon micropl姗aproCessiIlg parallel The罂伽psupposedsc黜血g ordertorealizethemasHess Wim probe．driveIl，in scanIlingetChi芏lg reactorandPZTcan_垃1everarccombincd accl|racy．nelnicrodisch鹕e togem％仕le is mereactor tomesⅦ{．ace岫曲廿1e by and仃ansports 皿啪pl缴naproduced torealize PZTca以levefisusedtorealizeself-埘Venand n趾opore etchillg．The mesetlle