北京航空航天大学《电子电路i》第一章 [14 fet zq]v2012.pptVIP

北京航空航天大学202教研室 内容组织 N沟道JFET，VDS对沟道影响 VDS=0，VGS增加时，沟道变化； VGS=0，VDS增加时，沟道变化； 内容组织 vGS的控制作用-栅源对沟道的影响演示 vDS的控制作用（漏源对沟道的影响演示） 场效应管（FET）小结 特点： 电场控制电流-输入电阻高 仅多子导电-温度稳定性好 类型： 结型：JFET N沟道、P沟道 绝缘栅型MOSFET ：N沟道D/E；P沟道D/E; 原理： JFET利用PN结反向电压控制耗尽层厚度，改变沟道宽窄，控制漏极电流； MOSFET利用栅源电压改变表面感生电荷，控制漏极电流。 随堂小测试（5min） 画出JFET的低频小信号模型？等效参数？ MOS管小信号等效电路？等效参数？ E型NMOS管的输出特性曲线： I区－线性区II区－饱和区(恒流区)III区－截止区 IV区－击穿区 保持vGS为不同固定值时，得到iD随vDS变化的一族曲线 P50页(表1)： E型NMOS输出特性 耗尽型NMOS管和增强型PMOS管工作原理 D型NMOSFET工作原理 D型NMOS管和E型NMOS管结构基本相同，区别仅在于导电沟道事先存在，在vGS=0的时候，iD也不等于0。当vGS=VGS(off)时，导电沟道消失，iD=0。 vGS=0时iD0 E型