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- 2018-12-02 发布于浙江
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数字电路与辑设计(周洪敏)第9章
第九章 半导体存储器 第九章半导体存储器 基本概念 特点:速度快,体积小,集成度高,可靠性高。 结论 字线W和位线b间接二极管,存储信息1, 字线W和位线b间不接二极管,存储信息0。 所以ROM属于组合逻辑,且为最小项表达式或标准与或式,即: D0=W2+W3=A1?A0+A1A0 D1=W0+W1=?A1?A0+?A1A0 D2=W1+W2+W3=?A1A0+A1?A0+A1A0 D3=W0+W1+W3=?A1?A0+?A1A0+A1A0 阵列图表示ROM的结构 阵列图特点 3、“黑点”代表输入、输出间应具有的逻辑关系 (“与” 或者“或”),在存储矩阵中,表示交叉处有二极管。 9.1.7 ROM的应用 实现组合逻辑函数 代码转换 生成函数表 字符发生器 波形产生。 例9.1.1:试用ROM实现如下组合逻辑函数: F1=AB+?AC F2=AB+?BC 2. 一次性可编程ROM(PROM)。出厂时,存储内容全为1(或全为0),用户可根据自己的需要进行编程,但只能编程一次。 3)存储器容量的扩展 位扩展可以用多片芯片并联的方式来实现。 ①各地址线、读/写线、片选信号对应并联, ②各芯片的I/O口作为整个RAM输入/出数据端的一位。 1. 位扩展方式--增加I/O端个数 用1024×1 位的RAM扩
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