模拟电子技术基础3场效应晶体及其基本放大电路-chen.pptVIP

3 场效应晶体管及其放大电路 MOS管的特性总结： 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 场效应晶体管 (Field Effect Transistor，FET)是电压型 (或电场型)控制器件，利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流，靠多数载流子导电，因而是单极型晶体管。FET具有输入电阻高 、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，广泛应用于集成电路中。本章主要介绍FET的结构、工作原理，以及FET基本放大电路的分析方法。 本章简介 3.1 结型场效应晶体管 3.3 场效应晶体管放大电路 3.2 绝缘栅型场效应晶体管 模拟电子技术基础 3.1.1 JFET的结构和工作原理 1.结构 2.工作原理 3.1.2 N沟道结型场效应晶体管的特性曲线 1.输出特性 2.转移特性 本节内容 3.1 结型场效应晶体管 场效应晶体管概述 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 g与s、d均无电接触 uGS=0,导电沟道已存在 uGS=0,无导电沟道存在 导电沟道中多数载流子为电子 导电沟道中多数载流子为空穴 3.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构与符号 导电沟道 漏极 源极 栅极 漏极 源极 栅极 箭头方向表示栅-源极接正向偏置电压时，栅极电流的方向是由P指向N 3.1.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 (1) uDS=0, uGS对导电沟道的影响 导电沟道已在, 耗尽层最窄, 导电沟道最宽。 | uGS|↑ 耗尽层变宽, 导电沟道变窄。 导电沟道被夹断。 夹断电压UGS(off) : 导电沟道刚好消失时栅-源极所加电压 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ 3.1.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 (2) 0uGS UGS(off) （为恒定值）, uDS对iD的影响 uGDUGS（off） 沟道中没有任何一处被夹断， uDS增大，iD增大。 uGD=UGS（off） 沟道在d端被夹断——预夹断。 uGDUGS（off） 夹断区向源极延伸,uDS增大,iD几乎不变,仅决定于uGS 。 3.1.2 结型场效应晶体管的特性曲线 1. 输出特性 (1) 可变电阻区 等效为受uGS控制的可变电阻 (2) 恒流区 iD几乎仅决定于uGS (3) 夹断区 3.1.2 结型场效应晶体管的特性曲线 2. 转移特性 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 恒流区(uGSUGS(off)) 饱和漏电流 3.2 绝缘栅型场效应晶体管 3.2.1 增强型MOSFET 1.结构 2.工作原理 3.特性曲线与电流方程 3.2.2 耗尽型MOSFET 1.结构 2.工作原理 3.特性曲线与电流方程 本节内容 3.2.1 增强型MOSFET 1. 结构与符号 漏极 源极 栅极 高掺杂 虚线表示uGS=0时，导电沟道未形成 3.2.1 增强型MOSFET 2. 工作原理 （1） 导电沟道的形成（s与B相连，uDS=0) 1） uGS=0, iD=0，导电沟道未形成 2) uGS产生g→s垂直电场,吸引电子,排斥空穴,形成耗尽层.因 uGS 较小, 导电沟道未形成, iD=0. 3) uGS≥UGS(th)衬底表面形成反型层将两个N+区连通, 导电沟道形成. 开启电压 3.2.1 增强型MOSFET 2. 工作原理 （2） 导电沟道形成后uDS对iD的影响（uGSUGS(th)) uGDUGS（th） 沟道中没有任何一处被夹断， uDS增大，iD增大。 uGD=UGS（th） 沟道在d端被夹断——预夹断。 uGDUGS（th） 夹断区向源极延伸,uDS增大,iD几乎不变,仅决定于uGS 。 3.2.1 增强型MOSFET 3. 特性曲线与电流方程 恒流区转移特性: 3.2.2 耗尽型MOSFET 1. 结构与符号 实线表示uGS=0时，导电沟道已存在 小到一定值才夹断 加正离子 3.2.2 耗尽型MOSFET 2. 工作原理 uGS≤UGS(off) ,沟道完全被夹断, iD=0——夹断区。 当uGS＞UGS(off) 且为确定值, uDS对iD的影响: 0uDSuGS-UGS(off)——可变电阻区; uDS=uGS-UGS(off)——预夹断; uDSuGS-UGS(off)——恒流区, iD的趋于饱和,不随uDS而变. 3.2.2 耗尽型MOSFET 3. 特性曲线与电流方程 耗尽型MOS管在 uG