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Conductive-AFM 导电针尖作为电极，map表面的电流分布 * 形貌 电流ON 电流OFF Photoconductive-AFM 倒置显微镜照明，导电针尖测微区电流分布 * 形貌 电流+1V 电流-1V 电流叠加形貌 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- * 压电力显微 吴迪 南京大学材料科学与工程系 压电效应 电－力耦合 (electromechanical coupling) * 电－力耦合是极性键合的结果，只要晶体的对称性允许。 界面、表面和低维材料中由于对称破缺可能产生不同寻常的电－力耦合。 压电效应 电－力耦合 (electromechanical coupling) * 晶体材料中，d33从～2 pm/V(石英)到～500 pm/V(PZT)。 正压电效应：Charge＝Force?d33 逆压电效应：Strain＝Bias?d33 压电效应 铁电材料中的电－力耦合 * 单畴铁电材料中应变 对小的ac信号，取出应变的一次谐波 有效压电系数d33-eff 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) PFM测量电压施加到样品表面时的力学响应 * ～pm量级的微小形变 ～fA量级的微弱电流 ～1-10nm的微小尺度 导电的针尖 nanoelectromechanics BaTiO3: d33=80 pm/V；相当于10 V产生0.8 nm的形变，很难测量 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) vertical PFM：normal displacement * 在导电针尖上施加交流电压 由于纵向压电效应，样品发生纵向形变，导致悬臂梁形变 如果频率远低于共振频率 振动的振幅正比于d33的大小 相位对应样品中的极化方向，反向电畴相位相差? d33 -d33 bias off bias on 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) vertical PFM * 正畴：位移和电压同位相，?＝0 负畴：位移和电压相位相相反， ?＝ ? 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 偏压与测量 * conventional: switch-and-image testing stroboscopic: time-dependent testing spectroscopic: step-bias testing spectroscopic: pulse-biased testing 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 偏压与测量 * conventional: switch-and-image testing -5.0 V domain patterning 5.0 V -5.0 V PFM phase image 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 偏压与测量 * stroboscopic: time-dependent testing 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 偏压与测量 * spectroscopic: step or pulse? step模式下静电项使回线变形，Vk使回线平移 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) lateral PFM: shear displacement * 畴控制 测量 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 3D PFM * 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 晶体取向 * 四方结构压电晶体，如BaTiO3，电场与c轴平行，形变最大，与c轴垂直，形变为0。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 晶体取向 * 四方结构 (4mm) vertical PFM lateral PFM (x) lateral PFM (y) 旋转900 vertical PFM lateral PFM (x) lateral PFM (y) 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 晶体取向 * 因此，从压电响应可以测量晶体学取向！ 压电力显微 (piezoelectric force microscopy) 测量方式