第一章_导体基础.pptxVIP

模拟电路与数字电路;参考文献: ;第一章 半导体器件;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;一、本征半导体的结构特点; 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;电子和空穴产生过程动画演示;㈢ 杂质半导体;一、N 型半导体;一、N 型半导体;N 型半导体中的载流子是什么？;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;;;;;空间电荷区中没有载流子。; ;㈡ PN结的单向导电性;;二、PN 结反向偏置; PN结的伏安特性：;PN结的伏安特性曲线及表达式;3、 PN 结的击穿;二、温度对二极管伏安特性的影响;1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。;㈢ 半导体二极管; 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。 面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频整流电路中。; 二、伏安特性;最大整流电流IＦ 最高反向工作电压UR 反向电流IＲ 极间电容（结电容） 最高工作频率fM; 1.2.4 二极管等效电路;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;;与门电路;;;;稳压管的参数主要有以下几项：;4. 电压的温度系数稳定电压aU;发光二极管 LED (Light Emitting Diode);;二极管极性的简易判别法;;;;㈡ 晶体管放大原理;;IB=IBE-ICBO?IBE;基极电流IB 小，集电极电流IC 大，;;㈢ 特性曲线;一、输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;三、主要参数;;2.集-基极反向截止电流ICBO;;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;;;;;;N沟道; 源极，用S或s表示;2.工作原理（以N沟道为例）;;;;;;; 结型场效应管的缺点：;1.7.2 绝缘栅场效应管:;N 沟道耗尽型;;P 沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;;;;;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）; 1.7.2 场效应管的主要参数及注意事项 1.主要参数 1) 开启电压U GS(th)和夹断电压U GS(off) UDS等于某一定值，使漏极电流ID等于某一微小电流时，栅源之间所加的电压UGS，①对于增强型管，称为开启电压U GS(th)；②对于耗尽型管和结型管，称为夹断电压U GS(off)。 2) 饱和漏极电流I DSS 饱和漏极电流是指工作于饱和区时，耗尽型场效应管在UGS=0时的漏极电流。 ; 3）低频跨导gm（又称低频互导） 低频跨导是指UDS为某一定值时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比，即 ; 4)直流输入电阻RGS 直流输入电阻是指漏源间短路时，栅源间的直流电阻值，一般大于10+8Ω。 5)漏源击穿电压U(BR)DS 漏源击穿电压是指漏源间能承受的最大电压，当UDS值超过U(BR)DS时，栅漏间发生击穿，ID开始急剧增加。 6）栅源击穿电压U(BR)GS 栅源击穿电压是指栅源间所能承受的最大反向电压，UGS值超过此值时，栅源间发生击穿，ID由零开始急剧增加。 ; 7）最大耗散功率PDM 最大耗散功率PDM=UDSID，与半导体三极管的PCM类似，受管子最高工作温度的限制。 2. 注意事项 (1)在使用场效应管时，要注意漏源电压UDS、漏源电流ID、栅源电压UGS及耗散功率等值不能超过最大允许值