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电工电子技术什么是半导体，它是什么组成的呢？ 下面我们分析一下半导体分类及它们的导电机理。 1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式共价健价电子共价键中的两个电子，称为价电子。硅单晶中的共价健结构 Si Si Si Si本征半导体的导电机理自由电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 这一现象称为本征激发。空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。价电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，该原子失去一个价电子出现另一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 Si Si Si Sip+2 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体，可使其导电性能大大增强。 掺入五价元素多余电子 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。磷原子失去一个电子变为正离子 Si Si SiB– Si2杂质半导体空穴 掺入三价元素 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。硼原子 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。接受一个电子变为负离子无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。内电场－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++－－+++－－++－－++－－ PN结的形成1 PN结的形成 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区也称 PN 结 少子的漂移运动P 型半导体N 型半导体 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。浓度差多子的扩散运动形成空间电荷区 扩散的结果使空间电荷区变宽。 思考a 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。b 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。c 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。ab 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） 谢谢 电工电子技术 什么是半导体，它是什么组成的呢？下面我们分析一下半导体分类及它们的导电机理。 1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。价电子 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，该原子失去一个价电子出现另一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素多余电子磷原子失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体，可使其导电性能大大增强。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。2 杂质半导体 2杂质半导体 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或