等离子体刻蚀的物理基础研究-电子与通信工程专业论文.docxVIP

PAGE PAGE 1 中文摘要 本文使用分子动力学模拟方法研究了环境参数对等离子体粒子刻蚀半导体 材料表面的影响。模拟中使用了 Tersoff-Brenner 势能函数来描述体系中粒子的相 互作用。研究结果表明，入射粒子种类和环境参数对整个刻蚀过程有较大影响。 低能（0.3-10 eV）Cl 原子刻蚀 Si 的过程中，入射 Cl 将首先沉积于 Si 表面并形 成一层富 Cl 反应层。反应层厚度随入射能量增加而增加，主要化合物类型为 SiCl。 刻蚀率随入射能量的增加而增大。在入射能量小于 10 eV 时，主要刻蚀产物为 SiCl4。在入射能量为 10 eV 时，主要的 Si 刻蚀产物为 SiClx (x4)。随着入射能量 的增加，Cl 对 Si 的刻蚀从化学刻蚀向物理刻蚀转变；低能 F 原子（0.5 - 15 eV） 刻蚀 SiC(100)表面的过程中，入射 F 原子沉积量达到饱和后，表面形成一稳定含 F 反应层。随着能量增加反应层表层由 Si-F 层转变为 C-F 层。C-F 层的形成将阻 缓硅的进一步刻蚀。在入射能量小于 6 eV 时，F 极难对 SiC 进行刻蚀。在入射 能量达到 15 eV 时，开始出现 C 的刻蚀。刻蚀率随入射能量增加而增加，主要的 刻蚀产物为 SiF4，表明 Si 的刻蚀主要通过化学刻蚀方式。SiF3+刻蚀 SiC 的过程 中，SiF3+会分解并沉积于 SiC 表面，并生成饱和 Si-C-F 反应层。分解率随入射 角度增加而减少，而随着温度的增加而增加。反应层厚度随入射角度增加而减少， 而受温度的影响不明显。刻蚀率受温度影响较大，随温度升高而增加。入射角度 对刻蚀产物类型影响较大，而温度对刻蚀产物类型影响较小。整个刻蚀过程中， Si 比 C 更易被刻蚀，这和实验室结果吻合的。刻蚀机制主要为化学增强的物理 溅射。 +关键词：分子动力学模拟，Cl 刻蚀 Si，F 刻蚀 SiC，SiF3 刻蚀 SiC，Si，SiC + 中图分类号：TN 405.98+2 Abstract In this dissertation, molecular dynamics simulation method was used to investigate the processes of plasma etching semiconductor materials at differents enviromental parameters. The improved Tersoff-Brenner type potential set was employed. The simulation results show that the etching processes are sensitive to the species of incedent particles and the environmental parameters of etching. For Cl etching Si (100) surface at the range of incident energy of 0.3 – 10 eV, regardless of the incident energy, the incident Cl atoms will deposite and then form a Cl-rich reaction layer near the surface region. The SiCl group is the predominant species in the reactive layer. The thickness of the reactive layer increases with incident energy ． The etching ratio increases with incident energy increasing. Most species of etch products are SiCl4 at 0.3, 1 and 5 eV. Most etch products are SiClx (x4) at 10 eV. With the incident energy increasing, the main etching mechanism is changed from chemical etching to physical etching. For F etching SiC at the range of incident energy of 0.5 – 15 eV, accompanying with the saturated deposition