低温烧结PZT压电陶瓷研究-材料科学与工程专业论文.docx

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据 我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的 研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 本论文以锆钛酸铅（PZT）压电陶瓷材料为研究对象，采用传统固相烧结方 法，通过 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、Agilet4294 等仪器分析和研究 Sb2O3 和 In2O3 掺杂对 PZT 压电陶瓷微观结构和压电性能等影响。同时研究纳米粉料对 降低 PZT 压电陶瓷烧结温度的作用，最后在降低烧结温度的同时获得了综合压电 性能优良的 PZT 压电陶瓷。 研究表明 Sb2O3 掺杂 PZT 压电陶瓷材料能够使材料性能硬化，大幅降低陶瓷 材料的介电损耗同时大幅提升陶瓷材料的机械品质因数，使得陶瓷材料在应用过 程中因内摩擦而消耗的能量大幅减少，但同时机电耦合系数 Kp、压电常数 d33 降 低。当 Sb2O3 掺杂量为 0.6wt%时，PZT 压电陶瓷晶面比较完整致密，此时压电性 能最佳：εr=1354，tanδ=1.625％，d33=350pC/N，kp=0.66，Qm=4750。 适量掺杂 In2O3 可以大幅提高 PZT 的压电、介电性能。掺入适量 In2O3 后抑 制 PZT 晶粒长大，有利于晶粒均匀生长，且掺杂后陶瓷钙钛矿结构不变，其材料 组成在准同型相界处三方相减少四方相增加。当 In2O3 掺杂量为 0.3wt%时，获得 最高的压电参数 d33=540pc/N,εr=1513，Kp=0.764，Qm=1819，tanδ=0.023。当 In2O3 掺杂量为 0.1%摩尔时，陶瓷样品铁电性能最好，其剩余极化强度为 23.43μC·cm-2， 矫顽场为 9.783KV·cm-1。 纳米组分烧结可以有效降低 PZT 压电陶瓷的烧结温度，但是其压电性能表现 不好。纳米组分和常规粉料混合烧结时，当以纳米粉料为主烧结时，烧结温度可 最低降到 923℃，此时纳米颗粒和常规颗粒没有烧结生长，其压电性能表现较低； 当以常规粉料为主烧结时，烧结温度最低可降到 980℃，晶粒生长较大，晶粒之 间结合紧密。压电常数 d33 最高可达 384pc/N。 关键词：PZT 压电陶瓷，掺杂改性，纳米粉料，压电性能 I ABSTRACT ABSTRACT The lead zirconate titanate(PZT) piezoelectric ceramics materials by traditional HYPERLINK /dict_result.aspx?searchword=%e5%9b%ba%e7%9b%b8%e7%83%a7%e7%bb%93amp;tjType=sentenceamp;styleamp;t=solid%2Bstate%2Bsintering solid state sintering process were researched in this thesis. The affect of doping of Sb2O3 and In2O3 on the piezoelectric properties and PZT piezoelectric ceramics micro-structure were studied by X-ray diffraction, SEM, Agilet 4294, and the effect of nanometer powder on lowering the PZT’s HYPERLINK /dict_result.aspx?searchword=%e9%99%8d%e4%bd%8e%e6%b8%a9%e5%ba%a6amp;tjType=sentenceamp;styleamp;t=lowering%2Btemperature sintering temperature HYPERLINK /dict_result.aspx?searchword=%e9%99%8