低阻高TCR非晶硅薄膜制备及性能研究-光学工程专业论文.docx

万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 非晶硅(a-Si)薄膜因其光吸收系数高、容易可控掺杂、可高速大面积沉积、与 半导体工艺兼容等优点，在薄膜太阳能电池、TFT-LCD、非制冷红外焦平面阵列、 航天遥感遥测等领域具有广阔的应用前景。然而，非晶硅薄膜的电导率较低，特 别是其电学性能的稳定性较差，至今没有得到根本的解决，从而限制其在各领域 的应用。研究表明，掺杂能有效提高非晶硅薄膜的载流子浓度，从而提高其电导 率；晶体半导体薄膜的电导率优于非晶半导体薄膜。因此，在掺杂的基础上，通 过气体稀释改善薄膜的微结构，可望使非晶硅薄膜的导电性得到进一步的改善。 本文使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，制备了不同氢气稀释比 和磷掺杂的非晶硅薄膜；对制备态的非晶硅薄膜在不同温度下进行了真空退火处 理。通过多种现代分析测试方法和设备，研究了氢气稀释比和射频功率对本征非 晶硅薄膜微结构和光学性能的影响；研究了氢气稀释比和磷掺杂浓度对非晶硅薄 膜微结构、光学和电学性能的影响；研究了退火温度对不同制备态非晶硅薄膜微 结构、光学和电学性能的影响。最后，对大面积高速沉积非晶硅薄膜作了初步探 讨，取得如下主要成果： (1) 氢气稀释比的提高有助于本征非晶硅薄膜的结构从非晶向纳米晶转变。 当稀释比为 24 时，平均晶粒尺寸达 10.74nm，晶化率超过 65%。随着氢气稀释比 的提高，本征非晶硅薄膜的氢含量逐渐降低，折射率逐渐变大，消光系数减小， 光学带隙变宽。射频功率对气体辉光放电有着重要的影响，薄膜中的氢含量随着 射频功率的增加而增加，折射率则随着射频功率增加而减小，消光系数随着射频 功率增加而变大。 (2) 随着氢气稀释比的提高，磷掺杂非晶硅薄膜的非晶包络峰强度随之降低， 半高宽变窄，薄膜内部的短程有序度和中程有序度得到改善，缺陷浓度降低。氢 气稀释比的变化引起磷掺杂薄膜的光学性能变化趋势与本征非晶硅薄膜一致。氢 气稀释浓度对磷掺杂薄膜的电学性能有重要影响，高稀释条件下的薄膜室温暗电 阻率更低，但随着磷掺杂浓度的提高，氢气稀释的影响逐渐减弱，直至被掩盖。 (3) 随着磷掺杂浓度的提高，氢气稀释非晶硅薄膜的短程有序度和中程有序 度变差，缺陷浓度增加，薄膜的氢含量增加。此外，薄膜的折射率随着磷掺杂浓 度的增加而降低，消光系数和光学带隙随着磷掺杂浓度的提高而变大。随着磷掺 I 摘 要 杂浓度的增加，非晶硅薄膜的室温暗电阻率降低，电阻温度系数(TCR)的绝对值慢 慢变小。 (4) 真空退火可以促进非晶硅薄膜由非晶结构向晶相结构转变，600℃退火薄 膜开始出现晶化，750℃退火薄膜已转变为以多晶为主。随着退火温度的提高，制 备态非晶硅薄膜的厚度都出现了减小，折射率变大。随着退火温度的升高，薄膜 的暗电阻率和室温方阻均有下降。通过对比不同薄膜的电阻变化发现，退火对磷 掺杂氢化非晶硅薄膜的电学性能提高最大。 关键词：非晶硅薄膜，PECVD，氢气稀释，真空退火，光电性能 II ABSTRACT ABSTRACT Amorphous silicon (a-Si) thin film has attracted considerable attention and been a subject of extensive studies worldwide on account of its important applications such as thin film solar cells, uncooled infrared focal plane arrays, liquid crystal displays, space remote sensing and telemetry, etc, due to its enhanced optical absorption, easily doped, high speed and large area deposition and compatibility with semiconductor technology. However, the poor conductivity and unstability of the thin film still limit the applications in various fields, and this problem is yet not ultimately resolved. Many studies confirm that, the carrier concentration will be increased through doping of phosphorus or boron so that the conductivity inc