低碳氢化非晶碳化硅的分析-材料物理与化学专业论文.docx

摘 摘 要 汕头大学硕士学位论文 汕头大学硕士学位论文 I I PAGE PAGE IV 摘 要 面对石油等传统能源即将消耗殆尽和环境污染污染问题，世界各国都在努力 开发新能源，其中太阳能是取之不尽的清洁能源，故受到广泛的关注。氢化非晶 碳化硅(a-SiC:H) 因其带隙较宽并且带隙可调而成为一种理想的窗口材料。另一 方面，氢化非晶碳化硅也是一种理想的短波发光材料，人们对于其光致发光效应 的研究一直保持着浓厚的兴趣。 为了进一步了解氢化非晶碳化硅的结构和光学性能，我们采用等离子体增强 化学气相沉积技术（PECVD），在改变沉积参数碳源流量比例 R、沉积温度 T 和 氢稀释率 r 的条件下制备了低碳氢化非晶碳化硅（a-SiC:H）薄膜。为此，我们主 要做了以下几个方面的研究工作工作： 1.对薄膜进行红外，我们发现了当 R 小于 7/15 时，薄膜的主要结构是非晶 硅，同时存在少量的非晶碳化硅结构；从 R=7/15 开始，薄膜的结构发生了转变， 主要结构向非晶碳化硅过渡。也讨论了不同 R 值对薄膜沉积速率的影响，发现 在 R 小于 7/15 时，薄膜的沉积速率随着 R 的增大，薄膜的沉积速率显著下降， 而当 R 大于 7/15 时，薄膜的沉积速率变小的趋势趋缓。 2.通过紫外-可见光分析，我们主要探讨了不同的 R 值对薄膜的光学带隙的 影响。当 R＜7/15 时，薄膜的光学带隙 Eg 与非晶硅的带隙一致（1.7～1.8eV）。 而当 R＞7/15 时，薄膜的光学带隙 Eg 达到 2.36～2.6eV,进一步从光学带隙 Eg 的 角度，证实了薄膜结构从氢化非晶硅向氢化非晶碳化硅的转变。增加薄膜的氢稀 释率，薄膜的光学带隙逐渐增大，归因于氢对薄膜进行微结构调整作用增强，对 薄膜弱键的刻蚀加强，并且钝化、终止表面悬挂键，降低了薄膜的缺陷密度。 3.分析薄膜的光致发光性能发现，当 R 值低于 1 时，由于碳含量低，室温 下薄膜几乎观察不到光致发光现象，而在 R 等于 1 时，薄膜出现了明显的光致 发光现象，可能是由于碳原子加入后,材料局域带尾态缺陷引起的发光。而增大 氢稀释率，发现在高氢稀释时，薄膜的光致发光显著增强，其发光峰由两个峰叠 加而成，分别对应量氧缺陷态发光和 sp2 碳团簇发光。表明氢稀释率对薄膜的发 光性能影响非常大。 4.形貌分析发现随着 R 的增大，薄膜粗糙度增加，有颗粒的生长。而增大 氢稀释率会使得薄膜生长更均匀致密，粗糙度降低，表明了高氢稀释对薄膜的比 表面形貌有很好的修饰作用。 关键词：低碳氢化非晶碳化硅,红外结构,光学带隙,光致发光,表面形貌 Abstract Traditional energy will face oil consumed and environmental pollution problems, all countries in the world in efforts to develop new energy, including solar is a mine of clean energy, so widely attention. Hydrogenated amorphous silicon carbide (a -SiC: H) because of its bandgap wider and bandgap adjustable and become a kind of ideal window materials. On the other hand, hydrogenated amorphous silicon carbide is a kind of ideal short-wave luminescence materials, people for the light to shine effect research has maintained a keen interest. In order to further understand hydrogenated amorphous silicon carbide structure and optical properties, we adopt plasma enhanced chemical vapor deposition technology (PECVD), changing sedimentary parameters carbon source flow ratio R, deposition temperature T and hydrogen dilution ratio R conditions of the low hydrocarbon preparation of amorph