低电阻率钛酸钡基半导体缺陷行为与PTC效应的分析.pdfVIP

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  • 2018-12-06 发布于江苏
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低电阻率钛酸钡基半导体缺陷行为与PTC效应的分析.pdf

第一章绪论 temperature PTC(positive 钛酸钡陶瓷中加入微量的稀土元素后,其室温电阻率大幅度下降,在某一很窄的温 度范围内其电阻率可以增加几个数量级,首先发现了PTCR陶瓷材料的特性“1.几十 年来,科学工作者对PTCR陶瓷材料的研究取得了重大的突破,PTCR陶瓷材料的理 论日趋成熟,应用范围也不断扩大。目前PTCR陶瓷材料与器件已广泛应用于电子 通讯、汽车工业、家用电器等各个领域,而对于低电阻率PTCR陶瓷材料与器件的 需求更是迅猛增长。 1.1PTCR材料的主要特性 PTCR材料的基本特性可用电阻温度特性、伏安特性、电流时间特性、耐压特 性、电压效应和交流频率效应来表征,其中电阻温度特性是PTCR材料的最基本 的特性12,3】。 1.1.1电阻温度特性 电阻温度特性又称阻温特性,是指在规定电压下PTCR热敏电阻的零功率电 阻值与电阻体温度之间的关系。零功率是指在某一规定温度下测量PTCR热敏电 阻时,保证功耗低到因功率引起的阻值的变化可以忽略的程度。钛酸钡基PTCR热 敏电阻器的阻温特性示意图如图1.1所示【4】,从图中可以看出,当温度升到T。。。时, 阻温曲线发生弯曲,当温度大于居里温度T。时,在一个

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