第4讲MOS管放大路ppt课件.ppt

除vGS和vDS的极性为负以及开启电压VT为负以外，电流iD流入源极，流出漏极，其他和NMOS相同。 因为NMOS器件可以做得更小，运行更快，并且NMOS比PMOS需要的电源更低，因此NMOS已经取代了PMOS技术。 CMOS BiCMOS 在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 3. 小信号模型分析 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s 增益较低 很高 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 作业 P249: 5.1.1 5.1.2 * 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管的分类： (电场效应，单极性管，电压控制电流) 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 N沟道 P沟道 （耗尽型） 场效应管的符号 N沟道MOSFET 耗尽型 增强型 P沟道M