第2章半导体二极管用3学ppt课件.ppt

2.1.3 掺杂半导体 2.1.3 掺杂半导体 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2.3 半导体二极管 2.3.1 基本结构 2.3 半导体二极管 2.3.2 伏安特性 2.3.3 主要参数 2.4.2二极管电路分析举例 Eg.6全波整流电路 2. 工作原理 Eg.6 全波整流电路 2. 工作原理 §2.5 特殊二极管 2.5.1 稳压二极管 3. 主要参数 mA V E I R 伏安特性实验电路 2.3.2 伏安特性 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V,锗0.2~0.3V。 U I 死区电压 阳 阴 + – 阳 阴 – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压 VBR 3. 反向电流 IR 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。 最大反向工作电压VRM——实际工作时，为安全：  VRM ≈ VBR /2 ， 在室温及规定的反向电压下的反向电流值。