太阳能工作原理与制造相关更改后.pptVIP

* * * sfds * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * PN结——太阳电池的心脏 扩散的目的：形成PN结 * 扩散装置示意图 炉内石英管 * 四探针测量方块电阻 扩散原理化学方程式： 扩散原理及检测 电位差计 硅单晶 1 2 3 4 * 刻蚀目的：去除边缘PN结，防止上下短路 　湿法刻蚀的化学反应方程式: ②SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O 刻蚀方法：１、干法刻蚀　生产过程中，在CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 　　　 P型半导体硅 P型硅 N型硅 磷硅玻璃(PSG) 太阳电池制造过程-刻蚀 * 太阳电池制造过程-去磷硅玻璃（PSG） 在扩散过程中发生如下反应： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子。 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。 什么是磷硅玻璃？ PSG P （P） 磷 S（SiO2） 二氧化硅 G（Glass） 玻璃 * 氢氟酸是无色透明的液体，具有较弱的酸性、易挥发性和很强的腐蚀性。但氢氟酸具有一个很重要的特性是它能够溶解二氧化硅，因此不能装在玻璃瓶中。 在半导体生产的清洗和腐蚀工艺中，主要就利用氢氟酸的这一特性来除去硅片表面的二氧化硅层。 去PSG原理及化学反应方程式 P型半导体硅 P型硅 N型硅 磷硅玻璃(PSG) 取料 石墨舟准备 插片(PECVD) 镀膜(PECVD) 出舟(PECVD) 冷却(PECVD) 卸片) PECVD * 太阳电池制造过程-PECVD 在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅膜 可以充分吸收太阳光，降低反射 在硅片表面有氢钝化的作用 氮化硅膜 * Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 等离子增强化学气相沉积 在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧 化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽 扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢 腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。 除SiN膜外，TiO2、SiO2也可作为减反膜 * 太阳电池制造过程-PECVD PECVD沉积SiN 利用硅烷（SiH4）与氨气（NH3）在等离子体中反应。 检查) 背电极(丝印) 背电场(丝印) 正电极(丝印) 上料 丝印 * 太阳电池制造过程-背电极印刷 在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极 使用的浆料是 银浆 作用：易于焊接 P型半导体硅 背电极 * 太阳电池制造过程-背电场印刷 通过烧结穿透背面PN结，和P型硅形成良好的欧姆接触。 使用的浆料是铝浆 背电场 P型半导体硅 * 太阳电池制造过程-正面电极印刷 正面电极有主栅线和副栅线组成。 在太阳电池正面丝网印刷银浆，形成负电极。 作用：收集电流。 副栅线 主栅线 P型半导体硅 正面电极 * 分类检测流程 吸片 包装入库 贴标识 分类（分档） 测试台 检测数据 打印标签 QC检验 上料检查 * 分类检测 1．测试系统构成 本系统由闪光灯、太阳能脉冲仿真器、可编程负载模拟装置、温度检测装置、光强测量电池、测试架和分检系统。示意图如下（不包括分检系统）。 * ２、工作原理： 本系统通过模拟AM（Air Mass）1.5 1000W/m2太阳光脉冲照射PV电池表面产生光电流，光电流流过可编程模拟负载，在负载两端产生电压，负载装置将采样到的电流、电压传送给SCLoad计算,得到IV曲线及其它指标，并根据实际光强和温度对它们进行修正。SCLoad 根据测试结果，按照给定的分类规则分类，将分类结果传送给分检系统，分检系统将已分类的电池放到相应的电池盒里。 3、太阳电池的电性能参数： Isc (短路电流) Uoc (开路电压) Impp (最大电流) Umpp (最大电压) Pmpp（最大功率） Rs（串联电阻） Rsh（并联电阻） FF（填充因子） EFF（转换效率） 分类检测 * 分类检测测试操作界面 * 谢 谢！ * * * * * * * * * * * * * * * * * 太阳电池工作原理及制造及流程 * 目录 引言 太阳能辐射 太阳电池结构和工作过程 太阳电池设计和制造 太阳电池的电性能 太阳电池质量检验