第07章 薄膜晶体管地结构与方案.pptVIP

液晶显示器件阵列工艺 王丽娟 第7章 薄膜晶体管的结构及设计 长春工业大学 王丽娟 2013年02月10日 7.2 背沟道刻蚀型TFT的工艺流程 7.2.1 5PEP阵列工艺 PEP 1 栅极 Mo/AlNd PEP 2 a-Si:H 岛 SiNx /α-Si/ n+-Si PEP 3 源漏电极及沟道切断 Mo/Al/Mo;α-Si/ n+-Si PEP 4 SiNx保护膜及过孔 PEP 5 ITO像素电极 1PEP 栅线 7.3 背沟道保护型TFT的工艺流程 a-Si:H TFT 阵列 就是在玻璃基板上有规则地整齐排列薄膜晶体管的工程。 1PEP 栅线等效电路 形成薄膜晶体管的栅极、栅线及存储电容的金属层 1PEP 栅线 MoW前清洗 →MoW溅射 →涂胶 →曝光 →显影 →显影后检查 → MoW CDE →刻蚀后检查 →去胶 2PEP i/s SiN阻挡层 形成薄膜晶体管的绝缘层及阻挡层。阻挡层的作用是防止n+a-Si切断时刻到下面的a-Si。由于有阻挡层存在，因此这种TFT的结构是背沟道阻挡型TFT。 2PEP I/S SiN阻挡