3.3半导体只读存储器ROM.pptVIP

5.3 非易失性半导体存储器  Non-Volatile Memory (NVM) 5.3 非易失性半导体存储器 主要特性： 存储的信息掉电不丢失。 Non-Volatile也译作“不挥发” 半导体只读存储器ROM (Read Only Memory) 正常工作时只能读出信息，而不能写入的随机存储器。信息的写入是通过特殊方法。 可改写的“只读”存储器 EPROM，EEPROM，Flash Memory 非易失性随机存取存储器NVRAM 可读可写 FRAM, MRAM, PRAM 5.3 非易失性半导体存储器 应用： 存放软件 如引导程序 智能设备的操作系统 存放微程序 存放特殊编码 如字符点阵 移动存储 U盘，SD卡，手机 5.3.1 掩模只读存储器MROM 特点： 存储的信息在芯片制造时，最后一道掩模(MASK)工艺由连线决定“0”和“1”； 生产周期长； 可靠性高，信息永不丢失。 适用场合： 大批量生产，一万片以上。 5.3.2 一次性可编程只读存储器PROM ● 特点：使用专用设备（编程器），用户一次性写入，故称为可编程（Programmable）。不可恢复，信息永久保存。 ● 适用于：小批量生产。 ●结构： 5.3.3 可擦除的只读存储器EPROM 基本结构 写“1”：保持原状态，浮栅上不带电荷。 写“0”：源极（S）和漏极（D）之间加高电压，使PN结处于反偏状态，发生瞬间击穿。浮栅上积累了负电荷，形成了带正电的P沟道，管子导通。 5.3.3 可擦除的只读存储器EPROM 擦除(Erasable)： 紫外线照射（透过玻璃窗），浮栅上的电子获得能量，穿越绝缘层泄放掉电荷。正常使用时应避免日光或荧光灯照射。 特点： 可多次擦除，通常有数千次擦除寿命 EPROM擦除器 5.3.4 电擦除只读存储器EEPROM 特点： 内置升压电路，电信号擦除(Electrically Erasable) 先擦后写，典型擦除寿命1万次 写入速度较慢，写一个数据的大约时间在2-10ms之间。 应用： 取代EPROM，擦除方便，但成本较高。 小容量串行接口的E2PROM， 保存系统设置等参数。如电视机、空调中，存储用户设置的参数。 结构： 5.3.5 闪速存储器（Flash Memory） 特点： 高速、按字节写入，写速度比E2PROM提高1个数量级 高集成度、低成本. 整片电擦除或按块电擦除，可擦除10~100万次 结构： 5.3.5 闪速存储器（Flash Memory） 写入： 控制栅极和漏极都加上高电压，电子由源极向漏极移动，在漏极附近产生的热电子可以越过硅表面到SiO2 膜的顶峰，在控制栅极高电压的吸引下能够注入到浮空栅极。 由于必须在漏极和控制栅极两者都有高电压的条件下才能写入，这就为在组成存储单元阵列实现对存储单元写操作创造了条件. 5.3.5 闪速存储器（Flash Memory） 擦除： 控制栅极接地，漏极开路，源极加高电压，则浮空栅极上累积的电子逃逸。 应用 可升级BIOS (右图) U盘 MP3随身听 手机和平板电脑的外存 固态硬盘 (SSD) Solid State Disk 编程器 铁电存储器（FRAM, FeRAM） Ferroelectric random access memory 利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储 特点 可以写入，速度与RAM相当； 读写功耗极低。 FRAM有最大访问次数的限制（10 10次即100亿次），即使是每秒钟进行30次的读写，也有10年的寿命 ；之后它仅仅是没有了非易失性，仍可像普通RAM一样使用。 最早在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司开发出第一个4Kb的铁电存储器FRAM产品。 磁性随机存储器（MRAM） Magnetic Random Access Memory 基于半导体和磁通道(magnetic tunnel junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。 无需擦除，高速读写（35nS ），可替换SRAM ； 写入寿命高，可达1015次 高集成度、低成本，只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ)位单元 主要开发厂商有IBM、Infineon、Cypress和Motorola 已有产品问世 相变存储器(PCM, PRAM) Phase Change Memory 或 Phase-change RAM ( PRAM) 写入前不需要擦除，写入速度较快 读写速度将可逼近DRAM 字节寻址方式 作业 5.5 ROM改为NVM Vcc 字地址译码器 读放电路 D3 D2 D1