硅衬底gan基led光电性能与可靠性分析.pdf

第一章 绪论 第一章 绪论 1.1 引言 2014 年可谓是 LED 行业比较重要的一年，赤崎勇、天野浩和中村修二获得 了诺贝尔物理学奖。从 1991 年世界上第一支 GaN 基 LED 问世到现在，短短的 二十多年里，LED 行业的发展可谓突飞猛进，究其原因主要是以GaN 为代表的 [1] [2-6] 第三代半导体材料 优越的性能所导致，从禁带宽度为 0.7eV 的 InN 到 3.4eV[5-7] 的GaN 再到 6.2eV[6, 8] 的AIN ，通过三者的搭配Ⅲ- Ⅴ材料的禁带宽度几 乎覆盖了从红光到紫光的所有波段，而且可以连续变化，这是 GaN 基 LED 广泛 [9-11]用于照明和显示[10, 12]领域的前提。除此之外在效率、安全、响应速度、色彩、 体积等方面优点[13]也很突出。因此，各国政府跟相关企业都在花大力气研究、 开发跟应用 LED 光源[14] 。 1.2 GaN 基LED 的发展史 LED 的发展最早可以追溯到 1907 年，当时 Henry Joseph Round 在碳化硅里 观察到光。后来的 50 年里进展和发展并不快，直到 1962 年，波长在 710nm 左 右的第一只 LED 在通用公司问世，接着 1969 年 Maruska 和 Tietjen 利用氢化物 气相外延（HVPE ）技术，在蓝宝石衬底上生长出了单晶的 GaN 薄膜材料[15] 。 Amano 等人通过低温 AlN 缓冲层生长技术从而获得了高质量 GaN 薄膜材料[16] ， 缓冲层技术解决了长期以来的一大难题，使高质量的 GaN 薄膜材料的获得不再 是难题，具有里程碑的意义。1991 年 Akasaki 等人在 1991 年将 Mg 掺入 GaN 中 获得了 p 型 GaN[17] ，解决了长期一直困扰本行业的难题，p 型 GaN 的成功制备 是LED 行业的又一大里程碑，两种技术获得使GaN 材料取得了突飞猛进的发展。 1991 年 Nakamura 研制出了世界上第一支 GaN 基发光二极管，接着在 1993 年又 做出了第一支 InGaN/GaN 的发光二极管，一年后世界上第一支商业化的发光二 极管[18] 问世。1997 年出紫外 LED 被开发出来。1998 年 日亚的中村修二通过在 蓝光 LED 芯片上涂黄色荧光粉的方法，利用蓝光激发黄色荧光粉的方式得到了 白光。之后在背光源、交通信号、大屏幕显示器、液晶显示屏、路灯等方面 LED 1 第一章 绪论 无处不在，照明市场如雨后春笋般迅猛发展。以民用照明为终极应用的LED 将 是本世纪科学技术上的一大亮点，耀古亮今。 1.3 GaN 材料基本性质 1.3.1 GaN 的晶体结构 GaN 晶体结构有纤锌矿和闪锌矿两种[19] ，纤锌矿为六方对称结构，而闪锌 矿是立方对称结构，如图 1.1 所示。其中纤锌矿结构是热力学稳定状态，闪锌矿 结构是热力学亚稳定状态[20] 。纤锌矿结构的 GaN 在晶胞＜0001 ＞方向原子按 ABABABAB 堆叠，闪锌矿结构的GaN 在＜111＞方向原子按 ABCABCABCABC 堆叠，如图 1.2 所示。 图 1.1 （a ）GaN 纤锌矿结构图 （b ）GaN 闪锌矿结构图 2 第一章 绪论 图 1.2 GaN 两种不同结构原子堆垛方式图 1.3.2 GaN 物理化学性质 GaN 的熔点高达 1700℃，化学性质非常稳定，常温下不与水、碱和酸发生 反应，高温下在碱溶液[21] 中缓慢的溶解，该性质在芯片工艺上一般用作粗化来 使用，也被广泛应用于检测位错跟缺陷。GaN 的原子键能高达 8.92