铟镓锌氧化物半导体材料的分析与仿真.pdfVIP

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2018-12-09 发布于江苏
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铟镓锌氧化物半导体材料的分析与仿真.pdf

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铟镓锌氧化物半导体材料的分析与仿真

目录铟镓锌氧化物半导体态密度定义 24 3.3.3 仿真分析 25 第一部分：验证性仿真 26 第二部分：态密度仿真研究 30 .1 受主带尾态密度研究 30 .2 施主带尾态密度研究 34 .3 受主深禁带态密度研究 38 .4 施主氧空位态密度研究 42 3.3.4 仿真研究总结 49 3.4 光照特性仿真 49 3.4.1 器件结构建模 49 3.4.2 参数定义 50 铟镓锌氧化物半导体材料定义 50 其他材料定义 50 铟镓锌氧化物半导体态密度定义 50 3.4.3 仿真分析 51 3.4.4 仿真研究总结 53 3.5 本章总结 53 第四章总结与展望 55 4.1 总结 55 4.2 展望 56 致谢 57 参考文献 58 攻读硕士学位期间取得的成果 63 VI 图目录图目录图 1-1 电视的变迁：1983-2013 1 图 1-2 世界上第一台14 英寸全彩色TFT-LCD （1988） 3 图 1-3 柔性a-IGZO TFT 器件 5 图 2-1 化合物半导体与离子型半导体导电对比 8 图 2-2 三元系统In O -Ga O -ZnO 组分对材料影响 9 2 3 2 3 [11] 图 2-3 典型TFT 结构 12 图 3-1 柔性器件特性仿真中使用的a-IGZO TFT 器件结构 15 图 3-2 器件生成步骤 17 图 3-3 曲面器件漏极端部分截图 18 图 3-4 部分网格截图 20 图 3-5 V =0V-20V 时的输出特性曲线 21 G 图 3-6 V =20V 时的输出特性曲线局部放大 21 G 图 3-7 V =0.1V 时的转移特性曲线 21 D 图 3-8 态密度仿真中使用的a-IGZO TFT 器件结构 23 图 3-9 “未掺杂”组器件输出特性曲线 26 图 3-10 “掺杂”组器件输出特性曲线 26 图 3-11 “未掺杂”组器件转移特性曲线 27 图 3-12 “掺杂”组器件转移特性曲线 27 2 图 3-13 4nm SiO2 V =1-5V 输出特性曲线，电子迁移率取值 11.39cm /V·s 。... 27 G 2 图 3-14 4nm SiO2 1-5V 输出特性曲线，电子迁移率取值 16.60cm /V·s 。 28 图 3-15 4nm SiO2 转移特性曲线 28 图 3-16