新型白光led的制备与其性能分析.pdfVIP

第 1 章  绪论 了新的Ⅲ- Ⅴ族半导体化合物材料的形成。之后通过改变芯片结构等方法，使的 红光 AlGaInP 基 LED 的光效超过了 50lm/w 。到 1993 年，具有革命意义的双异 质结构蓝光 LED 由日本科学家中村修二在 GaN 基片上研制出来[11] 。1997 年日 本 NiChia 公司申请的由 GaN 基蓝光 LED 芯片涂覆 YAG 黄色荧光粉形成白光 LED 这一国际专利，垄断了白光 LED 市场，这一行为引起了国际的广泛重视， 从此 LED 进入了白光时代。但是，一开始因为白光 LED 的光效很低，所以限制 其在照明领域的应用。后来，研究人员从提高 LED 的内量子效率（Internal Quantμm Efficiency ）和外量子效率入手，来提高 LED 的出光效率。提高 LED 的内量子效率主要是通过改变 LED 有源层的结构，但是这一方法对于内量子效 率的提高空间并不大。因此如何提高 LED 的外量子效率成为重点。研究人员已 经开发了透明衬底[12] ，异形芯片[13] ，表面粗化[14,15] ，倒装芯片[16]等技术来提高 LED 的出光效率，取得了非常显著的研究成果。 进入 2000 年以后，白光 LED 的发光效率得到了很大的提高。2014 年单颗 白光LED 在实验室研究阶段的发光效率最高可以达到 303lm/w 。 1.2 LED 发光原理及基本结构概述 1.2.1 LED 的发光原理 LED 是由一种电激自发辐射的固态半导体发光电子器件。它是由Ⅲ-Ⅳ族化 合物，比如 GaAs、GaAsP 等半导体材料制备而成的[17]，LED 的核心是P-N 结， 其具有正向导通、反向截止以及击穿特性的伏安特性[18] 。 LED 的发光原理可以使用图 1.3 中PN 结的能带结构来解释[19,20] ：在P 型和 N 型半导体之间的接触面（即 PN 结）上加上正向电压后（P 极加正电压，N 极 加负电压），P 区注入N 区的空穴和N 区注入P 区的电子，在PN 结附近微米区 域内分别与 N 区的电子和 P 区的空穴进行复合释放出光子，产生自发辐射的荧 光[21] 。反之，在PN 结上加反向电压时，电子和空穴难以注入，所以不能进行复 合，故不发光。 3 第 1 章  绪论 图 1.3 LED 发光原理能带结构示意图 LED 正常工作状态下，发出的光的明暗程度与流过 LED 的电流大小有一定 的关系[22] 。LED 的发光颜色与电子和空穴复合时发出的光子的波长有关，而光 子的波长由材料的帯隙宽度决定的，关系如下所示： =hc/qE =1240 / E （1.1） g g 式中E 为材料的带隙宽度。 g 表 1.1 材料与光色对照表 颜色 波长 材料结构 红 645-655nm AlGaAs/GaAs 橙 605-622nm GaAsP/GaP 黄 585-605nm AlGaInP/GaAs 绿 555-560nm GaP/GaP 蓝 455-485nm GaInN/sapphire 红外线 850-940nm GaAs/GaAs 1.2.2 LED