复件第三章结型光电器件.ppt

2.光传感器 可检测物体的数目、长度、也可应用于数字控制系统中，在高速印刷中用作定时控制和位置控制，在传真机、复印机中用于对纸的检测或图像色彩浓度的调整 通过透过光的通断来判断物体的数量和有无 透过型： 自动报警 反射型： 各种机械运程的行程限制 液面位置的行程限制 LED 光电探测器 液面 3.6.1 光电耦合器件的基本电路 1.发光二极管的驱动电路 2.输出电路 补充习题： 1.光电池工作时不接外电源，为什么说在负载电阻不为零时， 工作时光电池的PN结是实际上是工作在正向偏压下？ 3. 设有一光电池工作于线性段，当入射辐照度为100 W/m2时输出电流的大小为2 mA, 设负载电阻大小50Ω。 ①求此负载下的电流灵敏度和电压灵敏度。 ②求当入射辐照度改变为50W/m2时的输出电流和输出电压 2.设一光电池，在入射辐照度为100W/m2时的开路电压为0.41V，求该光电池在入射辐射照度变为150W/m2时的开路电压，已知环境温度为T=300K。(波耳兹曼常数K=1.38×10-23焦/度)。 4.画出光电二极管的电路图，和不同照度下的伏安特性曲线，画出负载线，写出光电流方程说明其与辐射照度的关系。 6. 在结型光电探测器中，哪些器件具有电流放大作用？简述其放大原理。 5. 设有一光电二极管工作时的外加电源电压为Ub=9V, 光敏二极管上的辐照度在0~100W/m2之间做正弦变化，要使输出交变电压的幅值为3V，求所需的负载电阻的大小，试做出负载线。 I（μA） U(V) -0.5 -5.5 E=0 E=100W/m2 * 第三章 结型光电器件 结型 光电器件主要包括： 光电池、光电二极管、光电晶体管、PIN管、雪崩光电二极管、光可控硅、象限式光电器件、位置敏感探测器（PSD）、光电耦合器件等 可以分为：PN结型、PIN结型、肖特基结型 P N 3.1 结型光电器件工作原理 3.1.1 热平衡下的PN结 内建电场消弱扩散、增强漂移，直到两者达到平衡。 漂移 扩散 E内 外加偏压 U P N 漂移 扩散 E内 U ID 当外加偏压时： 正向 反向 3.1.2 光照下的PN结 1.PN结光伏效应 P N N P 光伏效应----光生伏特效应，是指光照射半导体的结区或金属和半导体的结区时，产生电位差的现象。 N P 光伏工作模式： 光导工作模式： 工作在零偏置状态下 工作在反偏状态下 RL N P RL Ub N P N P RL E=0 E1 E2 U IL IP ID SEE 漂移 扩散 扩散电流 漂移电流 光电流 U U ---不加外电压 ID IP RL U Rs Cj Rsh IL 3.2 硅光电池 3.2.1—之--基本原理 N P RL IP ID 扩散电流 漂移电流 光电流 U 光伏工作区 RL1 RL2 E=0 E1 E2 U IL U E=0 E1 E2 Isc Uoc I 开路电压 Uoc ISC 短路电流 开路电压 短路电流 3.2.1 硅光电池的基本结构 N E RL IL P 3.2.2 硅光电池的特性参数 1.光照特性 (1)开路时 对数关系 IL U Isc4 Isc1 Isc2 Isc3 Uoc4 Uoc2 Uoc1 Uoc3 例：设一光电池，在入射辐照度为100W/m2时的开路电压为0.412V，求该光电池在入射辐射照度变为150W/m2时的开路电压，已知环境温度为T=300K。(波耳兹曼常数K=1.38×10-23焦/度)。 IL U Uoc4 Isc4 Isc1 Isc2 Isc3 Uoc2 Uoc1 Uoc3 2.4KΩ 12K Ω 120Ω Ф I 硅光电池光照与负载特性 负载电阻越小，线性范围越大 线性区 RL1 RL2 (3)有限大负载时 (2)短路时 线性关系 Isc Uoc E Uoc Isc 2. 光谱特性 3. 频率特性 t Is 1.0 t 0.37 0.63 上 下 对于矩形脉冲光照 对于正弦形光照 t E t Is 4. 温度特性 光电池外形： ----外加反向偏压 光导工作区 E=0 E1 E2 U I U IP E P N RL Ub ID 3.3硅光电二极管和硅光电三极管 3.3.1 硅光电二极管 总结： 光电池工作区 Ub RL E=0 E1 E2 U IL 光敏二极管工作区 U RL Ub IP RL Ub=0 RL E IL P N RL Ub 硅光电二极管和光电池的区别 ①………… ②………… ③………… ④ ………… 例： 设有一光电二极管工作时的外加电源电压为Ub=9V, 光敏二极管上的辐照度在0~100W/m2之间做正弦变化，要使输出交变电压的幅值为3V，求所需的负载电阻的大小，试做出负载线。 I（μA） U(V) -0