共面波导滤波器量测.PDFVIP

第五章 共面波導濾波器量測 5.1. 量測設備 本文製作完成的共面波導低通濾波器，其散射參數(S-parameters)的量測是利用向量 網路分析儀進行量測。使用的量測設備是國家奈米元件實驗室的 20 GHz 元件高頻 S 參 數量測系統，此儀器型號為 HP 8510C向量網路分析儀，可以量測頻率範圍為 50 MHz ~ 20 GHz 。利用此儀器可以量測待測元件(DUT)的增益、損失、阻抗、駐波比、透射係數 和反射係數，圖 5. 1 為向量網路分析儀的量測示意圖。 CCDCCD CAMERACAMERA MicroscopeMicroscope Probe 2Probe 2Probe 2 Probe 1Probe 1Probe 1 MetalMetal WaferWafer Sample StageSample Stage PUMPPUMP HP 8510CHP 8510C Network AnalyzerNetwork Analyzer 圖 5. 1向量網路分析儀量測示意圖 [19] 本文設定向量網路分析儀的量測頻率範圍為 0.2 ~ 20 GHz ，元件量測方式是採用On wafer量測，使用 GSG (Ground, Signal, Ground)量測探針，其接觸面的最小面積為 50 ×50µm 2 ，接地線與訊號線探針的間距為150µm 。向量網路分析儀在量測元件參數之 前，必須進行校正 (Calibration) ，使量測參考平面位於探針的針尖，向量網路分析儀是根 62 據需要的量測條件進行 SOLT(Short, Open, Load, Thru)校正，使用校正元件為機台上所附 標準校正元件。 5.2. 低通濾波器量測結果 以下將介紹共面波導低通濾波器的量測結果，包括(1)低通濾波器在不同金屬厚度的 散射參數量測值， (2)改變濾波器 Meander尺寸的散射參數量測值， (3)串聯低通濾波器 的散射參數量測值。另一方面，本文使用不同電流密度的電鍍製程條件，因此將比較在 不同電流密度的製程條件，低通濾波器的散射參數量測結果。 5.2.1.不同金屬厚度的量測結果 圖 5. 2 為 2 ASD電流密度， Meander結構長度 (L )為 600µm ，金屬厚度分別為2µm 、 m 5µm 、10µm和 20µm的量測結果。由量測結果可知金屬厚度對濾波器的截止頻率有影 響。圖 5. 3 為低通濾波器在不同金屬厚度的截止頻率，濾波器的線路結構隨著金屬厚度 增加，其截止頻率會往高頻偏移，同時也會造成通帶區反射損失 |S 增加，造成較大的| 11 反射能量損失，量測結果顯示通帶區的插入損失 (Insertion loss)大於 1 d