第6章存储器..pptVIP

第六章 存储器 本章主要教学内容 半导体存储器的基本概念 读写存储器RAM的分类与编程结构 只读存储器ROM的编程结构 主存储器的设计 存储体系 本章教学目的及要求 理解半导体存储器的分类、性能指标和基本结构； 掌握读写存储器RAM分类与编程结构； 熟悉只读存储器ROM的编程结构； 掌握主存储器的设计方法； 熟悉存储体系的构成。 6.1 概述 存储器是计算机的重要组成部分； 有了存储器，计算机才具有“记忆”功能，才能把程序及数据的代码保存起来，从而使计算机系统脱离人的干预，自动完成信息处理的功能。 6.1.1 存储器的分类 6.1.2 半导体存储器的性能指标 6.1.3 半导体存储芯片的基本结构 6.1.1存储器的分类 1. 按与CPU的耦合关系分类 内部存储器（内存或主存）： 内存设置在主机内，CPU可对其直接访问； 用于存放当前正在使用或需要经常使用的程序和数据（包括中间结果、缓冲区及堆栈等）； 内存存取速度快，但容量较小。 6.1.2 半导体存储器的性能指标 1. 存储容量 存储芯片容量指芯片上能存储的二进制位数：存储单元数M×单元位数N，如6116芯片的容量为2048×8位； 微型计算机存储容量指微机中多片存储芯片构成的存储器的总容量，多以字节（Byte）为单位，如32MB显存，256MB内存； 存储容量的大小是衡量计算机系统能力的重要指标，容量越大，存储信息越多，功能越强。 6.1.3 半导体存储芯片的基本结构 存储芯片种类繁多，内部结构不尽相同，其基本结构一般由存储体（存储矩阵）、地址译码器，读写驱动电路、三态数据缓冲器以及控制电路组成。 6.2 读写存储器RAM 读写存储器又称随机存取存储器； 使用时可读、可写，用于存储执行程序和处理数据，以及中间数据和运算结果； 常用的MOS型RAM分为SRAM和DRAM。 6.2.1 静态RAM（SRAM） 6.2.2 动态RAM（DRAM） 6.2.3 内存模块和新型DRAM 6.2.1 静态RAM（SRAM） 1. 基本存储单元 静态RAM的基本存储单元由六个MOS管构成； T1、T2为控制管，T3、T4为负载管。这个电路具有两个稳态状态：若T1管截止则A＝“l”(高电平)，它使T2管开启，于是B＝“0”(低电平)，而B＝“0”又进一步保证了T1管的截止。同样，T1管导通即A＝“0”(低电平)，T2管截止即B＝“1”(高电平)的状态也是稳定的。 6.2.2 动态RAM（DRAM） 1. 基本存储单元 DRAM的基本存储单元常采用4管型、3管型和单管型，单管型DRAM因集成度高而被广泛采用； 一个动态RAM的基本存储单元由一个MOS管T和位于其栅极上的分布电容Cs构成； 当栅极电容Cs上充有电荷时，表示该存储单元保存信息“1”；当栅极电容上没有电荷时，该单元保存信息“0”。 6.2.3 内存模块和新型DRAM 1. 内存模块 微机中实际使用的存储器通常是由多片存储芯片按照一定方式组装成整体模块使用，称为内存模块； 按接口形式可分为双列直插封装（DIP）和内存条两种形式； 早期微机或单板机主板上设有DIP芯片插座，目前在微型机上已基本淘汰； 内存条将若干片大容量DRAM芯片设计并组装在一个条形的印刷电路板上，使用时只需将内存条插在主板的内存条插座上即可，现在微机主板上只有内存条插座； 6.3 只读存储器ROM ROM中的信息是预先写入的，机器运行中只能读出不能或不易写入； ROM具有非易失性，通常用于存放固定程序，如监控程序、BIOS程序等； 在硬盘适配器、显卡、键盘接口及打印机等I/O接口设备上也分别设有ROM芯片； ROM芯片的基本结构与SRAM相似。 6.3.1 掩膜MROM 掩膜ROM存储的信息是在芯片制造生产时确定，用户不能修改； 掩膜ROM是以有、无管子区分“0”，“1”信息的，而管子的有、无是制造时由二次光刻版的图形（掩膜工艺）决定，称为掩膜ROM； 管子的连接情况与电源供电情况无关，信息不会丢失。 6.3.2 可编程PROM PROM是允许用户编程一次的只读存储器； PROM有熔丝和结破坏型，用户利用开发工具改变熔丝和二极管的导通情况，存入对应的编程信息； 写入过程不可恢复，只能写一次。 6.3.3可擦除可编程EPROM EPROM芯片为紫外光擦除可编程的ROM芯片； EPROM的典型基本存储电路由一个浮栅MOS管与一个MOS管串接构成，芯片制造好时，浮栅管不导电，即初始状态为“1”，编程写入时，在高压电源和编程脉冲作用下，电子注入到浮栅上，使浮栅MOS管导通，输出为“0”； EPROM芯片上方有一个窗口，用紫外线对窗口照射20min后，浮栅上的电荷会形成光电流泄漏