高功率脉冲磁控溅射峰值功率对纯铬及氮化铬薄膜力学性能的影响-材料学专业论文.docxVIP

Classified Classified Index：TG 1 74．444 U．D．C：T13．4．T22 Southwest Jiaotong University Master Degree Thesis THE D师LUENCE 0F PEAK POWER ON MECHANICAL PROPERTIE S ON CR AND CRN FILM S DEPO SITIED BY HIGH POWER IMPUL SE MAGNETRON SPUTTERⅢG Grade：2013 Candidate：Wang Yu Academic Degree Applied for：Master of Engineering Speciality：Material science and engineering Supervisor：Prof．Yongxiang Leng 万方数据 西南交通大学学位论文版权使用授权书 西南交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留 并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本 人授权西南交通大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可 以采用影印、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于 1．保密口，在 年解密后适用本授权书； 2．不保密矿使用本授权书。 (请在以上方框内打，，v”) 学位论文作者签名：≥岭销 臌：∥盎币 日期：砂L6．女c6 日期：加／历上／名 万方数据 西南交通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： 西南交通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明 本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： 1．通过改变高功率脉冲磁控溅射(H口IMS)中工艺参数(如气压)以及电源参数(脉 宽、频率、电压、限流电阻等)，探究Cr靶放电特性及等离子体组分的变化。研究发 现限流电阻能够有效调控靶材峰值功率，继而显著影响靶材原子离化率。 2。采用HIPIMS技术通过改变限流电阻得到不同峰值功率，并制各纯Cr薄膜，研究峰 值功率对Cr薄膜的微观结构、表面形貌及力学性能的影响。 3．在采用HIPIMS改变限流电阻制备纯Cr薄膜的基础上，采用不同峰值功率制备CrN 薄膜，探讨峰值功率对CrN薄膜的微观结构、表面形貌及力学性能的影响。 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是在导师指导下独立进行研究工作所得的成 果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰 写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中作了明确的说明。 本人完全了解违反上述声明所引起的一切法律责任将由本人承担。 学位论文作者签名：易蛔镐 日期：7．0I b．f f 6 万方数据 西南交通大学硕士研究生学位论文 西南交通大学硕士研究生学位论文 第J页 摘要 高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)技术具有较高的靶材峰值功率和较低的占空比， 能使靶材原子高度离化，从而产生具有高能量的离子。在薄膜沉积过程中，大量高能 离子轰击薄膜，使所沉积薄膜的性能(如硬度、结合强度、耐磨性等)显著提高，因 此开展靶材原子离化率的相关工作具有非常重要的意义。本文旨在探究影响靶材功率 和金属离化率的主要因素，继而制备纯铬(Cr)及氮化铬(CrN)薄膜，研究峰值功率 对薄膜结构和力学性能的影响。 首先通过改变HIPIMS技术中工艺参数(如气压)以及电源参数(脉宽、频率、 电压、限流电阻等)研究Cr靶放电特性及等离子体组分的变化，探索影响靶材放电和 金属离化率的最主要参数。研究结果表明：限流电阻能够显著调控靶材峰值功率，是 影响金属离化率的最主要因素。 其次，通过调节HIPIMS技术电路中的限流电阻，可以得到不同峰值功率。在此 基础上，采用不同峰值功率制备纯铬(Cr)薄膜，对所制各薄膜的微观结构、表面形 貌、力学性能等进行评价。研究结果表明：随着靶峰值功率的增加，等离子体中各组 分(Cr+，cro，Ar+，hro)强度值以及金属离化率逐渐增加，同时基片上离子流密度和 离子原子到达比也相应增加；不同峰值功率所制备纯Cr薄膜的相结构基本一致；薄膜 的晶粒尺寸和表面粗糙度均随峰值功率的增加而减小；薄膜的力学性能检测表明所沉 积纯Cr薄膜的残余压应力和显微硬度随峰值功率的增加而增加，但由于过大的应力会 削弱膜，基结合力，因此在高的峰值功率下，所制各纯Cr薄膜与基体的结合强度有所降 低。 在研究纯Cr薄膜的基础上，采用HIPIMS技术改变限流电阻，在不同峰值功率下 制备氮化铬(CrN)薄膜，研究峰值功率对金属原子离化率以及CrN薄膜微观结构、 表面形貌和力学性能的影响。研究发现：随着峰值功