高功率LED照明系统热设计与热-机械可靠性分析-机械电子工程专业论文.docxVIP

摘要 摘要 I万方数据 I 万方数据 摘要 随着半导体照明技术的发展，LED 由于其节能、环保、寿命长等优点已经慢慢 向普通照明领域发展。但是 LED 低的光转换效率（10%～20%）使其大部分能量转换 成了热能，造成 LED 结温过高，可靠性降低。因此，增强 LED 系统的散热性能和提 高其热-机械可靠性是 LED 光源进入普通照明领域的关键。本文主要针对目前市场上 的大部分高功率 LED 产品还存在着 LED 结温偏高，可靠性较差，性价比低（成本高） 等一系列问题，开展了对单芯片高功率 LED 器件阵列组合封装系统及高功率 LED 多 芯片集成阵列封装系统的热设计和热-机械可靠性分析。 首先，在分析国内外现有高功率LED的热设计及其封装技术的基础上，抽象LED 的热模型。运用T3Ster瞬态热阻测试仪对高功率LED照明系统中的扩散热阻进行实验 分析并同时测量相关热特性参数。由扩散热阻实验分析得出：合理地增加LED器件与 散热翅片的有效接触面积及选择最优的安装位置可以有效降低系统的扩散热阻，提高 散热翅片的散热效率。 其次，依据 LED 封装的热特性与光特性要求，结合实验分析的结果及测量的相 关热特性参数对单芯片高功率 LED 器件阵列组合封装系统及高功率 LED 多芯片集成 阵列封装系统进行热结构设计与材料参数优化，并运用热阻网络模型对这两种封装结 构的热阻及结温进行计算分析。运用热阻网络模型计算求得的系统热阻与结温分别为 （12.48 K/W、74.92℃）和（2.214 K/W、67.066℃）。 然后，用 ANSYS 软件对单芯片高功率 LED 器件阵列组合封装系统的温度场分 布、热应力场进行仿真计算模拟。通过仿真分析，单芯片高功率 LED 器件阵列组合 封装系统的热阻为 12.15K/W，结温为 73.602℃，与热阻网络模型计算所得到的热阻 （12.42 K/W）和结温（74.68℃）非常接近，这也直接验证了热阻网络模型计算的准 确性。在热应力分析中发现，LED 芯片处存在比较大的热应力，并且最大热应力通 常存在于芯片的边角处，这极易产生分层与翘曲。最后应用正交试验设计探讨了不同 材料参数组合对 LED 芯片应力的影响，对高功率 LED 器件的材料参数进行了优化， 得出的最优组合方案为：芯片衬底材料为 SiC、芯片键合层材料为 Sn63Pb37、热沉 材料为 AlN。 最后，对高功率 LED 多芯片集成阵列封装系统的稳态温度场分布进行模拟分析 并对其系统散热结构进行优化。通过仿真分析，高功率 LED 多芯片集成阵列封装系 统的热阻与结温（2.406K/W、70.717℃）与热阻网络模型计算所得的值（2.214 K/W、 67.066℃）非常接近。在综合考虑各方面因素的同时，通过正交试验设计对系统结构 参数进行了优化，主要考虑各参数对系统结温产生的影响，得出了一组最优的参数组 合方案，即当 LED 芯片衬底为 Si，键合层材料为 Sn63Pb37，厚度为 0.02mm，翅片 II万方数据 II 万方数据 高度为 70mm，翅片宽度为 17.535mm，翅片个数为 60，中心柱高度为 15mm 时，系 统结构的散热性能最好，可靠性最高。 关键字：高功率 LED 照明系统 扩散热阻 热阻网络模型 热设计 热-机械可靠性 Abstract Abstract PAGE IV PAGE IV 万方数据 Abstract As solid state-lighting (SSL) technology advances, high power light emitting diodes (LED) are penetrating into illumination applications due to their low energy consumption, environmental-friendly and long lifetime characteristics. However, the low-light conversion efficiency（10%～20%）causes most of the energy to transform and generate redundant heat which ultimately increases the junction temperature and reduces reliability. Therefore, improving the system’s ability to draw heat away from the LED junction is the critical point to promote th