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暗电流(光伏) 　　暗电流报告 　　太阳电池在无光照条件下相当于一个整流二极管，当给它加一个方向偏压时(p区接负，n 区接正) ，外加电压与其内建电势差方向相反，使得内建场势垒高度增加，势垒宽度也增加，于是n 区中的电子及p 区中的空穴都难以向对方扩散，扩散电流趋近于0，但是由于结电场的增加，增强了少子的漂移作用，把n 区中的空穴驱向p 区，而把p 区中的电子拉向n 区，在结中形成了由n 指向p 的反向电流，由于少数载流子是由本证激发产生的，数目比较少，所以反向电流一般都比较小，在一定温度T 下，由于热激发而产生的少数载流子数量是一定的，电流值趋于恒定，这时的反向电流就是反向饱和电流，如下图第三象限，显示了p-n 结的反向电流特性。 　　　　p-n 的整流特性和太阳电池的明暗特性 　　（p-n 结的整流特性和太阳电池的暗特性相同，受照明时暗特性曲线下移，成为明特性曲线） 　　　　当p-n 结两端的反向电压加到一定数值时，反向电流或突然增加，这个现象称为p-n 结反向击穿，p-n 结击穿后电流很大。产生p-n 结击穿的原因是，在强电场作用下，大大地增加了自由电子和空穴的数目，引起反向电流的急剧增加，这种现象的产生分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。 　　雪崩击穿：当p-n 结反向电压较高时，结内电场很强，使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。当它与结内原子发生直接碰撞时，将原子