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6/22/98 6/22/98 二 CMOS晶体管基础 主要内容 1 、结构及工作原理 2、阈值电压 3、电流—电压方程（I-V特性） 4、MOS管寄生电容 5、小信号等效电路 6、gm、gds 7、MOSFET的数字模型 8、衬偏调制效应 9、MOSFET的温度特性 10、CMOS结构图 1、工作原理 2、阈值电压（Threshold Voltage） 阈值电压是当沟道反型时所需的电压 (i.e. 将沟道从p型变到n型的电压). 阈值电压可按下式计算: 其中 ?ms = 栅和衬底的接触电势（contact potential between the gate and the bulk） ?F = 衬底的静电势(electrostatic potential of the substrate) Q`bo = 耗尽区的电荷(charge in the depletion region) Q`ss = Si/SiO2 接触面的电荷(Si/Sicharge at the Si/SiO2 interface) VSB = 源到衬底的电势差(Source to bulk voltage) 3、MOSFET的 I-V 特性 (线性区Tr