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P22 (1-*) 死区电压是它的开启电压Uon，也就是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。 u i 导通压降: 硅管0.7V, 锗管0.2V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压： 硅管0.5V, 锗管0.1V。 1.2.2 二极管的伏安特性 正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降，此时正向电流变化时结压降基本不变。 对比PN结：正向情况(考虑体电阻、引线电阻)、反向情况(考虑表面漏电流) 制造PN结若在表面上沾上水汽或金属离子，引起离子导电(电流从N区电极沿半导体表面直接到P区电极)，往往成为反向电流的主要部分。 (1-*) 实验发现：在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移（正向导通压降及开启电压减小），反向特性将下移（反向电流增大）。 二极管的特性对温度很敏感。 室温附近，温度每升高1℃，正向导通压降减小2～2.5 m V；温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 (1-*) 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压U(BR)和最高反向工作电压UR U(BR)是二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 手册上给的最高反向工作电压UR一般是U(BR)的一半。 1.2.3 二极管主要参数 (1-*) 3. 反向电流 IR 指二极管加