半导体二三极管,MOS管终结版.docVIP

半导体二三极管，MOS管的原理与应用 半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，由于它具有体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小和功率转换效率高等优点而得到了广泛的应用。集成电路特别是大规模和超大规模集成电路不断地更新换代，致使电子设备在微原化，可靠性和电子系统设计的灵活性等方面有了重大的进步，因而电子技术成为当代高新技术的龙头。 下面将主要对半导体二三级管，MOS管的结构，工作原理，主要参数，应用场合进行讨论。 半导体二极管的原理与应用 1半导体二极管的工作原理 晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 2半导体二极管的主要参数 1、额定正向工作电流 IF是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。 2、最高反向工作电压VBR指加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。一般最高反相工作电压约为击穿电压的一半。 3、反向电流 IR是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，管子未击穿时的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。 4、在高频电路中要注意最高工作频率。 5、测试的电性能参数：VF,VRRM。 3半导体二极管的应用 1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。 5、检波二极管 在收音机中起检波作用。 6、变容二极管 使用于电视机的高频头中。 7、发光二极管 管子通以电流时发光。可以将电信号变为光信号，通过光缆传输，再用光电二极管接收，再现电信号。 4半导体二极管的封装 二极管一般的封装形式TO-220F-3L 贴片二极管一般的封装形式SOD-523,SOD-123 2．半导体三极管的原理与应用 1半导体三级管的工作原理 晶体三极管是一种电流控制元件。发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,晶体三极管按材料分常见的有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，使用最多的是硅NPN和PNP两种，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，三极管工作在放大区时，三极管发射结处于正偏而集电结处于反偏，集电极电流Ic受基极电流Ib的控制，Ic 的变化量与Ib变化量之比称作三 极管的交流电流放大倍数β（β=ΔIc/ΔIb, Δ表示变化量）。三极管工作在饱和区时，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0（这叫做三极管截止），相当于开关断开；当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 2半导体三级管的主要参数 电流放大系数 电流放大系数是表征管子的电流放大能力的参数。共基电流放大系数，共射电流放大参数β?。 极间反向电流 集电极一基极反向饱和电流ICBO。ICBO是发射极开路时，少数载流子在集电结反向电压作用下的漂移电流。 集电极一发射极反向饱和电流——穿透电流ICEO。ICEO是基极开路，集电极一发射极间加反向电压时的集电极电流 。? 3、极限参数 集电极最大允许电流ICM。把 β 下降到额定值的2/3时所对应的最大集电极电流称为ICM。 集电极