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- 2019-01-03 发布于浙江
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《华中科技大学》模拟电子技术第05章场效管放大电路
3. 小信号模型分析 解:例5.2.2的直流分析已求得: (2)放大电路分析(例5.2.5) s 3. 小信号模型分析 (2)放大电路分析(例5.2.5) s 3. 小信号模型分析 (2)放大电路分析(例5.2.6) 共漏 3. 小信号模型分析 (2)放大电路分析 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求,有兴趣者自学 end 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么? 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS<0时 (以N沟道JFET为例) 当沟道夹断时,对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。 对于N沟道的JFET,VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小,沟道继续变窄。 2. 工作原理 (以N沟道JFET为例) ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时, vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时
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