《变频技术原理与应用(第版)》《习题解答》-课件设计（公开).ppt

习题解答 目 录 第1章习题解答 1 什么是变频技术？ 变频技术，简单的说就是把直流电逆变成为不同频率的交流电，或是把交流变成直流再逆变成不同频率的交流，或是把直流变成交流再把交流变成直流。在这些变化过程中，一般只是频率发生变化。 现在人们常说的变频技术主要是指交流变频调速技术，它是将工频交流电通过不同的技术手段变换成不同频率的交流电。 2 变频技术的类型有哪几种？ 变频技术主要有以下几种类型： 1）交—直变频技术（即整流技术）。它通过二极管整流、二极管续流或晶闸管、功率晶体管可控整流实观交—直流转换。 2）直—直变频技术（即斩波技术）。它通过改变功率半导体器件的通断时间，即改变脉冲的频率（定宽变频），或改变脉冲的宽度（定频调宽），从而达到调节直流平均电压的目的。 3）直—交变频技术（即逆变技术）。振荡器利用电子放大器件将直流电变成不同频率的交流电（甚至电磁波）。逆变器则利用功率开关将直流电变成不同频率的交流电。 4）交—交变频技术（即移相技术）。它通过控制功率半导体器件的导通与关断时间，实现交流无触点开关、调压、调光、调速等目的。 3 简述变频技术的发展趋势？ 变频技术的发展趋势如下： （1）交流变频向直流变频方向转化 （2）功率器件向高集成智能功率模块发展 （3）缩小装置的尺寸 （4）高速度的数字控制 （5）模拟器与计算机辅助设计（CAD）技术 第2章习题解答 1.使晶闸管导通的条件是什么? ①当门极电流IG=0时，如果在晶闸管两端施加正向电压，则J2结处于反偏，晶闸管处于正向阻断状态。 ②如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo时，则漏电流急剧增大，晶闸管导通。 ③导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降到维持电流IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。 2. 什么是晶闸管的浪涌电流？ 浪涌电流ITSM是一种由于电路异常情况（如故障）引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。浪涌电流有上下限两个级，这些不重复电流定额用来设计保护电路。 3.如何判断晶闸管管脚极性？ 用万用表R×1kΩ挡测量晶闸管的任意两管脚电阻，其中有一管脚对另外两管脚正反向电阻都很大，在几百千欧以上，此管脚是阳极A。再用万用表R×10Ω挡测量另外两个管脚的电阻值，应为数十欧到数百欧，但正反向电阻值不一样，阻值小时黑表笔所接的管脚为控制极G，另一管脚就是阴极K。 4.什么是GTO的电流关断增益？ 最大可关断阳极电流IATO和门极负电流最大值IGM之比被称为电流关断增益。一般βoff只有5左右。βoff是GTO的一个重要参数，其值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。 5.试说明GTR三种缓冲电流的特点？ RC缓冲电路较简单，它对关断时集电极-发射极间电压上升有抑制作用，适用于小容量的GTR（电流10A以下）。 R-C-VD缓冲电路增加了缓冲二极管VD2，可以用于大容量的GTR。但缓冲电路的电阻较大，不适合用于高频开关电路。 阻止放电型R-C-VD缓冲电路，常用于大容量GTR和高频开关电路缓冲器。最大的优点是缓冲产生的损耗小。 6.简述功率MOSFET的特性。 功率场效应管是用栅极电压来控制漏极电流的，因此同双极型晶体管相比，功率MOSFET具有两个显著的特点：一个是驱动电路简单，驱动功率小；另一个是开关速度快、工作频率高。另外，其热稳定性也优于双极型晶体管。 7.功率MOSFET的保护技术有哪些？ 栅源过压保护，漏源过压保护，峰值电流保护，有效值电流保护，过热保护和静电保护。 8.使用IGBT时，为什么要考虑过电流和过电压保护，一般过电压常采用的保护措施有哪些？ 1）过电流保护。若IGBT用于VVVF逆变器，当电动机启动时将产生突变电流，如果控制回路、驱动回路的配线欠合理，将会引起误动作，导致桥臂短路、输出短路等事故，使IGBT流过过电流。其中，发生短路事故时，电流变化非常迅速，而且元件要承受极大的电压和电流，所以必须快速检测出过电流，在元件未被损坏之前，使其自动断开。 2）过电压保护。IGBT关断时，由于主回路电流的急剧变化，由主回路杂散电感引起高压，产生开关浪涌电压。可设置缓冲器抑制开关浪涌电压。缓冲器内的缓冲器阻抗使IGBT在关断信号到来之前，将缓冲器电容所积蓄的电荷放净。 9.试述IPM的优越性。 ①不易损坏； ②内藏相关的外围电路，缩短了产品设计和评价时间； ③不需要对功率开关元器件采取防静电措施； ④大大减少了元件数目，缩小了体积。 10 .已知电源为220V交流，电动机功率为3.7kW，K1=150%，K2=120%，η