逻辑器件侧墙蚀刻工艺研究-信集成电路工程专业毕业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘 摘 要 我们正经历着一场全新的技术革命，这场技术革命的推动力正是半导体产业 的不断发展，而推动半导体发展的又是其设计及制造工艺的不断创新。目前国际 上的半导体制造工艺已经进入了纳米时代，世界级的制造大厂已经进入32nm工 艺大生产阶段，并正朝着更小的工艺线宽前进；我国大批量生产的工艺线，八寸 线主要还是0．13微米工艺，十二寸线则进入了65nm工艺。随着生产工艺线的持 续使用和设备的不断老化，出现了很多新的问题。本文就八寸生产线0．13微米 工艺侧墙蚀刻出现的问题，分三个部分展开研究。 对0．13微米工艺侧墙蚀刻工艺及其设备的研究：论文对0．13微米工艺做了 分析，并对侧墙蚀刻工艺的原理及具体的蚀刻方法做了详细的研究，尤其是对侧 墙的结构和氮化硅及二氧化硅的蚀刻进行了深入的研究。论文还对侧墙蚀刻的 Super E设备的结构及各部件的特性做了详细的分析。 对侧墙蚀刻中出现的对良率影响非常大的缺陷问题进行了研究，并最终找出 了问题的真正原因。论文先是从蚀刻设备的角度尝试寻找解决问题的办法，包括 常用的部件及真空系统等，但效果并不明显。又采用了正交实验的方法，按蚀刻 步骤逐步分析工艺参数中影响缺陷的因素。最终发现是因为真空系统的老化和蚀 刻工艺的不完善才导致了缺陷。 对侧墙蚀刻后残余二氧化硅厚度控制的研究。残余二氧化硅是指侧墙蚀刻后 衬底上剩余的二