直流阴极弧蒸发空沉积掺杂tio2薄膜的制备技术 结构与性能研究.docxVIP

硕士学位论文 硕士学位论文 直流阴极弧蒸发沉积掺杂Ti02薄膜的制备技术、结构与性能研究 摘 要 自从FuiishiIIla在1972年报道了Ti02阳极能够光解水产氢以来，Ti02因其无毒、 丰度高、耐光蚀等优异的光电化学特性在许多颇具前景的领域得到了广泛的研究，如光 催化剂、气敏元器件、细胞电池等。然而，Ti02较大的带隙宽度和较低的电子．空穴分 离效率仍是限制其广泛应用的主要原因。目前，已有许多的研究手段用于改善和提高 Ti02的光催化性能，包括金属离子掺杂、非金属离子掺杂、两种或两种以上金属离子共 掺杂、晶体形貌修饰、晶格缺陷创建等。 其中，非金属离子N掺杂因其可在Ti02价带顶端引入N 2p能级以及与氧离子相近 的离子半径，被认为是修饰改性Ti02材料的最有效方法之一。与已报道的通过高能离 子轰击、磁控溅射、溶胶．凝胶合成、氢化、还原气氛中加热处理等制备N掺杂Ti02材 料的方法不同，本论文通过在引入少量N2的情况下，以金属Ti为Ti源，分别通过磁过 滤直流阴极弧蒸发工艺和脉冲等离子体弧工艺沉积了N掺杂Ti薄膜，然后将其退火处 理制备了N掺杂Ti02薄膜。调节了沉积薄膜及热处理过程中的制备工艺参数和退火条 件，分别考察了基底、弧电流、脉冲频率、N2分压、退火温度等工艺条件对沉积薄膜及 N掺杂Ti02薄膜的结构、形貌和性能的影响。同时，对比分析了这两种镀膜工艺在沉 积制备