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第十章 霍耳效应 10.1 霍耳效应 把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿x方向，电场强度为Ex；磁场方向沿z轴方向，磁感应强度为Bz，则在垂直于电场和磁场的+y或-y方向将产生一个横向电场Ey,这个现象称为霍耳效应。 10.1 一种载流子的霍耳效应 目标：分析霍耳效应产生的原因及霍耳系数的值 1. P型半导体的霍耳效应 沿ox轴正方加电场Ex, 空穴的漂移速度vx, 产生的漂移电流密度: 横向霍耳电场的存在说明，在有垂直磁场时，电场和电流不在同一方向，两者之间的夹角?称为霍耳角。 达到稳定时，y方向没有电流，电流仍沿+x方向，但总电场E不在x方向，在xoy面的第一象限: 2. n型半导体的霍耳效应 电流沿 +x轴方向，则电子的漂移速度沿-x方向 洛伦兹力沿-y方向，电子在洛伦兹力作用下向-y方向偏转，在A面积累电子，形成沿-y方向的霍耳电场Ey. 受到沿+y方向的电场力。稳定时有： 10.2两种载流子的霍耳效应 对于大多数半导体,?n?p （1）纯净半导体或高温下本征激发起主要作用 的杂质半导体n=p,RH0,随温度升高，RH的绝对值减小。 （2）P型半导体，强电离区，pn, RH0; 本章小结 一 重要术语解释 1．霍尔效应：半导体中载流子在相互垂直的电场和磁场中运动时，载流子发生偏转，在垂