脉冲激光沉积法制开备高质量zno薄膜及其缓冲层的研究-微电子学与固体电子学专业毕业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 脉冲激光沉积法制备高质量ZnO 脉冲激光沉积法制备高质量ZnO薄膜及其缓冲层的研究 摘 要 氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3．3eV)II-VI族化合物半导体，激子结合能为 60meV，具有六方纤锌矿结构。ZnO薄墨菊有良好的透明导电性、压电性、光电性、气 敏性和压敏性，且易于与多种半导体材料实现集成化。由于这些优异的性质，使其具 有广泛的用途和许多潜在用途，如声表面波器件、平面光波导、透明电极、紫外光探 测器、压电器件、压敏器件、紫外发光器件和气敏传感器等。近年来，对其研究和开 发在国内外科学界及工业部门引起了极大的关注和兴趣。 本文通过采用脉冲激光沉积法在单晶Si(100)衬底上生长了沿c轴高度取向 的高质量ZnO薄膜。衬底温度、环境氧压、脉冲频率是影响薄膜质量非常重要的 三个因素。通过AFM、XRD和PL谱测试研究这三个因素对所制备薄膜的表面形貌、 结晶性能和光学性质的影响。进行了ZnO薄膜可控生长方面的研究，对ZnO薄膜 的制备条件进行了优化。 论文进行了ZnO薄膜缓冲层的研究。ZnO与Si衬底失配度较大，所生成ZnO薄膜 的质量受到影响。本文引入了缓冲层并就生长过程中缓冲层的引入对薄膜质量的影响 作了分析。通过研究发现，引入缓冲层后，ZnO薄膜表面形貌明显改善，XRD半 高宽减小，表明结晶质量提高。论文对缓冲层在薄膜生长中的作用进行