六方氧化镓薄膜开的制备及氮化与掺杂特性研究-微电子学与固体电子学专业毕业论文.docxVIP

六方氧化镓薄膜的制备及氮化与掺杂特性研究两组样品进行的XRD、XPS、SEM、AFM、透射谱等测试。从XRD测试结果可以得到氮化处 六方氧化镓薄膜的制备及氮化与掺杂特性研究 两组样品进行的XRD、XPS、SEM、AFM、透射谱等测试。从XRD测试结果可以得到氮化处 理后的样品表面有GaN薄膜形成，并且具有C轴择优取向的特点。从XPS测试结果可知 氮化后的样品表面有氮化物生成。从SEM图像可以看出氮化处理后的e—Ga。03薄膜表面 有网状结构生成。透射谱测试结果表面氮化处理后的样品在365nm位置处(GaN薄膜的 本征吸收边)有着很明显的光吸收现象，表明e-Ga。0。薄膜表面有GaN晶体生成。然后 研究了Zn源输入量对e-Ga：0。薄膜的影响，利用金属有机物化学气相沉积方法，以三乙 基镓为镓源，二乙基锌作为掺杂锌源，高纯氧气作为氧源，高纯氩气作为载气，在锌源 流量为0．36、0．72、1．44 u mol／min的条件下制备了三种锌掺杂氧化镓薄膜样品。利用 薄膜厚度分析仪、X射线衍射仪和紫)F-可见双光束分光光度计测试方法对样品的膜厚、 晶体结构、光学特性进行了表征。同时，利用热蒸发方法在薄膜表面制备钛铝电极，并 对其进行了I—V特性测试。相关测试结果表明，氧化镓薄膜的结晶和光学质量随着锌源 流量的增加而提高。当锌源流量为1．44 II mol／min时，所制备的氧化镓薄膜为